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記憶體

資料中心記憶體

記憶體是資料可以穩定傳輸至處理器(GPU、CPU、XPU)且令其發揮最大價值的關鍵。憑藉業界領先的 HBM3E、大容量 RDIMM(96GB 和 128GB)、基於 CXL 的記憶體擴充模組、MRDIMM、SOCAMM 和 DDR5 等可擴充選項,美光擁有可維持資料密集型 AI 工作負載運作的業界最廣泛的資料中心記憶體解決方案產品組合。

相關資訊

其他資源

DDR5 MRDIMM 技術應用支援方案

DDR5 MRDIMM 技術應用支援方案(TEP)提供一條通往美光(Micron)的途徑,可率先獲得技術資訊和支援、電氣和熱能模型以及記憶體產品,以協助設計、研發和推出新一代運算平台。

三級模式

常見問答

SOCAMM 是我們為資料中心提供的最具功耗效率的記憶體解決方案。

美光的 HBM3E 8 層堆疊和 12 層堆疊模組具有以下優勢:

  • 提供大於 9.2Gbps 的業界領先的針腳傳輸速度,並且能支援 HBM2 第一代裝置的向下相容資料速率,
  • 每個位置的頻寬超過 1.2 TB/s。 
  • HBM3E 8 層堆疊立方體可提供每個位置 24GB 容量,而我們的 HBM3E 12 層堆疊立方體可提供令人驚嘆的每個位置 36GB 容量。 

我們的 SOCAMM 模組採用美光的 LPDDR5X 技術,在容量、效能和能源效率方面均有良好的表現。

是的,我們的 CZ122 記憶體擴充模組以 CXL 標準為基礎。

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