1γ（1-Gamma）DRAM 技術

跨代技術領先地位

1γ（1-gamma）DRAM 技術建立在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）節點的卓越基礎之上，與 1β 相比，每晶圓位元密度提高了 30% 以上。¹ 設計上的改進提高了速度能力，同時降低了功耗要求。極紫外（EUV）光刻製程的改進開創了在更短時間內在矽片上產生更精細特徵的方法。

卓越的工程技術

美光 1γ DRAM 技術釋放了 DDR5 的潛力，並將速度提升至 9200MT/s——比相對的 1β 產品快 15%。更快的速度=更高的功耗？對 1γ 而言並非如此。卓越的工程技術意味著 1γ DDR5 能夠實現更快的速度，並可降低最多 20% 的功耗。²

助力未來創新

美光 1γ 推動下一代記憶體創新，解決未來的問題。隨著資料中心、行動裝置、汽車應用甚至個人電腦中以資料為中心的工作負載（如 AI）的增加，美光 1γ 已做好準備，為使用者提供進一步降低的功耗、更大的容量和業界領先的效能。

與以前的 1β DRAM 技術相比，每晶圓記憶體密度提高

與 1β DDR5 相比，功耗降低

與 1β DDR5 相比，速度提升

引領新一代記憶體解決方案的創新

美光透過製程和設計創新引領跨代技術轉型，以支持未來的記憶體解決方案。憑藉 1γ，美光將繼續引領記憶體技術的發展，以滿足業界對更高效能、更低功耗和更大供應量的需求。從資訊圖表中瞭解更多資訊。

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引領記憶體技術進步，滿足未來運算需求

美光今天宣布在業界率先向部分資料中心客戶、用戶端客戶和生態系統推動者提供 DDR5 記憶體的 1γ（1-gamma）DRAM 節點樣品。

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1γ 背後：美光的全新 DRAM 製程節點

美光 1γ 技術節點是全新的製造工藝，採用了最先進的極紫外（EUV）光刻技術和美光次世代高介電金屬閘極（HKMG）CMOS 技術，在位元密度、功耗效率和效能方面均有顯著提高。閱讀技術簡介，瞭解有關 1γ 背後先進技術的更多資訊，這些先進技術改進 DRAM 技術並最佳化晶圓廠生產，使美光能夠高效地推動資料中心、行動、汽車和客戶端領域的 AI 次世代記憶體創新。

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新興技術與策略增長：theCUBE 採訪 Sumit Sadana

在巴塞隆納（Mobile World Congress；MWC 2025）上，美光執行副總裁暨業務長 Sumit Sadana 接受了 theCUBE 的 Savannah Peterson 和 Dave Vellante 的深入採訪，讓我們一起觀看此次採訪。深入瞭解美光最新的 1-gamma DRAM 技術以及 EUV 進展，並探索高頻寬記憶體和 AI 驅動增長的未來。