DDR5 的優勢
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DDR5 是 DRAM 的次世代演進，帶來了一系列豐富的新特性，旨在提升可靠性、可用性和可維護性（RAS），降低功耗，並顯著提升效能。請參閱下方清單，瞭解 DDR4 與 DDR5 之間的一些主要特性差異。
| 效能／選項 | DDR4 | DDR5 | DDR5 優勢 | |
|---|---|---|---|---|
| 資料速率 | 600-3200MT/s | 4800-8800MT/s | 提升效能與頻寬 | |
| VDD/VDDQ/VPP | 1.2/1.2/2.5 | 1.1/1.1/1.8 | 降低功耗 | |
| 內部 VREF | VREFDQ | VREFDQ、VREFCA、VREFCS | 改善電壓裕量，降低 BOM 成本 | |
| 器件密度 | 2Gb-16Gb | 16GB、24GB、32GB | 支援更大容量的單片器件 | |
| 預取 | 8n | 16n | 保持內部核心時鐘低頻執行 | |
| DQ 接收端均衡 | CTLE | DFE | 改善 DRAM 內部接收到的 DQ 資料眼圖的開啟度 | |
| 工作週期調整 (DCA) | 無 | DQ 和 DQS | 改善傳送端 DQ/DQS 引腳上的訊號傳輸品質 | |
| 內部 DQS 延時監測 | 無 | DQS 間隔振盪器 | 增強對環境變化的魯棒性 | |
| 晶粒內建 ECC | 無 | 128b+8b SEC、錯誤檢查與擦洗 | 增強晶片上可靠性、可用性和可維護性 | |
| CRC | 寫入 | 讀取/寫入 | 透過保護讀取資料，增強系統可靠性、可用性和可維護性 | |
| Bank 組 (BG)/Bank | 4 BG x 4 Bank (x4/x8) 2 BG x 4 Bank (x16) | 8 BG x 4 Bank (16-64Gb x4/x8) 4 BG x 4 Bank (16-64Gb x16) | 提升頻寬/效能 | |
| 命令/位址介面 | ODT、CKE、ACT、RAS、CAS、WE、A<X:0> | CA<13:0> | 顯著減少 CA 引腳數量 | |
| ODT | DQ、DQS、DM/DBI | DQ、DQS、DM、CA 匯流排 | 提升訊號完整性，降低 BOM 成本 | |
| 突發長度 | BL8（及 BC4） | BL16（及 BC8 OTF） | 僅需 1 個 DIMM 子通道，即可實現 64B 快取行讀取。 | |
| MIR（「鏡像」引腳） | 無 | 是 | 改善 DIMM 訊號傳輸 | |
| 匯流排反轉 | 資料匯流排反轉 (DBI) | 命令/地址反轉 (CAI) | 降低 VDDQ 噪音 | |
| CA 訓練、CS 訓練 | 無 | CA 訓練、CS 訓練 | 提升 CA 和 CS 引腳的時序裕量 | |
| 寫入均衡訓練模式 | 是 | 改善 | 補償 DQ-DQS 通路的不匹配 | |
| 讀取訓練模式 | 使用 MPR 即可實現 | 為串列（使用者自訂）、時鐘以及由 LFSR 產生的訓練碼型提供專用的 MR | 使讀取時序裕度更為穩健 | |
| 模式暫存器 | 7 x 17 位元 | 最高支援 256 x 8 位元（LPDDR 類型讀/寫） | 預留了擴充空間 | |
| 預充電 (PRECHARGE) 指令 | 所有 Bank 及單 Bank | 所有 Bank、單 Bank 及同一個 Bank | PREsb 指令支援對每個 Bank Group (BG) 中的一個 Bank 進行預充電 | |
| REFRESH 指令 | 所有 Bank | 所有 Bank 及同一個 Bank | REFsb 指令支援對每個 Bank Group (BG) 中的一個 Bank 進行重新整理 | |
| 環回 (Loopback) 模式 | 無 | 是 | 實現 DQ 和 DQS 訊號測試 |
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常見問答
否，DDR5 記憶體與 DDR4 主機板在實體介面和電氣特性上均不相容。DDR5 RAM 僅適用於 DDR5 主機板，而 DDR4 記憶體僅適用於 DDR4 主機板。
兩者皆是！美光在提及記憶體傳輸速率時，使用的是「每秒百萬次傳輸」(MT/s) 這一單位。而在探討記憶體的實際時脈時，使用「兆赫茲」(MHz) 這一單位則更為恰當。由於包括 DDR5 RAM 技術在內的所有 DDR 記憶體技術均採用「雙倍資料速率」機制，因此資料傳輸會在時鐘訊號的上升沿和下降沿同時發生。
簡而言之，它們通常指的是同一種東西。RAM（隨機存取記憶體）是電腦主要工作記憶體的統稱。DRAM（動態隨機 RAM，讀作 dee-ram）是個人電腦和伺服器中最常用的 RAM 類型。SDRAM（同步動態隨機 DRAM）指的是一種時序創新技術，該技術最初於 20 世紀 90 年代廣泛商業化，如今已廣泛應用於所有 DRAM 裝置。SDRAM 與系統時鐘同步執行，從而實現更快、更高效的效能。
DDR5 記憶體即為 DDR5 SDRAM。儘管記憶體通常被稱為「DRAM」或簡稱為「RAM」，但美光銷售的所有現代伺服器記憶體均採用先進的 SDRAM 技術，專為實現高效能與高可靠性而設計。
相比 DDR4，DDR5 RAM 提供了多項關鍵改進，特別是針對現代資料密集型工作負載。DDR5 提供了更高的頻寬和更快的 資料傳輸速率，從而為 AI、機器學習、進階分析以及高效能運算等應用帶來了更卓越的效能。它還引入了更高的單模組記憶體容量，使系統能夠更高效地進行擴充。
此外，DDR5 採用了經過改進的電源效率設計，透過利用模組內電源管理技術，在降低整體能耗的同時，提供更為穩定的效能。與 DDR4 相比，諸如每條 DIMM 具備雙獨立通道等增強功能，也提升了資料處理和多工處理能力。
如需更多資訊及差異概覽，請參閱我們關於 DDR5 與 DDR4 的對比評測。
是的，隨著資料中心轉向支援用於 AI 訓練的更為複雜的演算法，DDR5 伺服器 RAM 相比 DDR4 在以下方面更具優勢：
- 美光 DDR5 伺服器 DRAM 的效能幾乎是 DDR4 的兩倍。與 DDR4 不同，DDR5 經過優化，可將伺服器和工作站的效能提升 85% 或以上。DDR4 於 2014 年首次推出，如今已無法滿足資料中心的需求。隨著單一平台上活躍執行的虛擬機器實例數量不斷增加，DDR5 技術緩解了每核心記憶體頻寬的瓶頸，並提升了虛擬化應用程式的效能與回應速度。
- 美光製造的 DDR5 伺服器記憶體，在模組上整合了電源管理積體電路 (PMIC)。當部分系統插槽處於空置狀態時，這種設計最初可能意味著為 DDR5 伺服器供電所需的整體成本有所降低。
- 相比 DDR4，美光 DDR5 伺服器記憶體提供了更高的頻寬，並提升了可靠性、可用性和擴充性。該產品已透過 100% 的元件及模組測試，達到關鍵任務級伺服器標準；並針對目前及未來的 Intel® 和 AMD® DDR5 伺服器與工作站平台進行了優化。作為三大主要記憶體製造商之一，美光對我們的 DDR5 伺服器記憶體進行了測試與驗證，確保其能與所有主流 DDR5 伺服器平台相容執行。
DDR5 記憶體的工作電壓為 1.1 伏，相比之下，DDR4 為 1.2 伏；若進行大規模應用，DDR5 可實現每位元功耗的顯著降低。
美光與 CPU 及平台開發領域的產業領軍企業，以及領先的系統和主機板製造商緊密合作，共同推動記憶體技術邁向新的高度。美光是久經考驗的產業領軍者，憑藉豐富的經驗與專業知識，能夠全程自主研發並打造高品質的伺服器記憶體產品。
2. 目前正向生態系統合作夥伴提供樣品。
3. https://www.dell.com/en-us/blog/leading-sap-hana-performance-by-dell-poweredge-r760-servers/
4. 根據競爭產品資料表和 JEDEC 規範。