設計工具

Suggested Search

    DRAM 元件

    DDR5 DRAM

    以美光 96GB 和 128GB 高容量 RDIMM 推動 AI 進展

    美光世界級大容量 RDIMM 正在推動全球 AI 資料中心的發展。128GB DDR5 RDIMM 記憶體採用美光領先業界的 1β（1-beta）技術，與同類 3DS 矽通孔（TSV）產品相比，位元密度提高了 45% 以上4，能效提高了 22%5，延遲降低了 16%4。 

    閱讀新聞稿 96GB 技術簡介 128GB 產品簡介
    美光 DDR5 RDIMM 96GB 和 128GB 模組珠聯璧合

    業界首款可擴充記憶體

    美光提供更高效能 DRAM：

    • 整體頻寬擴展，DDR5 RDIMM 速度高達 8000 MT/s，MCRDIMM 速度高達 8800 MT/s
    • 與 3200 MT/s 的 DDR4 SDRAM 相比，記憶體頻寬提升高達 2 倍
    • 基於 32Gb 單片晶粒的 128GB RDIMM 帶來全新的更大容量

       
    深藍色晶圓

    美光 DDR5 SDRAM：可擴充記憶體適用於不斷成長的處理器核心數

    提供將大型資料集快速且有效率地轉為洞察力所需的記憶體頻寬，促進現代工作負載的效能。

    DDR5 DRAM 資訊圖表
    Mixed race technician using digital tablet in server room

    DDR5 技術應用支援計畫

    DDR5 技術應用支援方案（TEP）提供一條通往美光的途徑，可率先獲得技術資訊和支援、電氣和熱能模型以及記憶體產品，以協助設計、研發和推出新一代運算平台。

    TEP 方案詳細資訊
    抽象霓虹燈進入數位科技隧道。未來感科技抽象背景與網路、大數據、資料中心、伺服器、網際網路、速度線條。3D 算圖

    DDR5 的優勢

    Details

    Parts Catalog Complete Parts Catalog

    建議的搜尋

    美光 DDR5：適用於新一代 Intel 伺服器平台的記憶體技術

    Intel 宣布推出搭載第四代 Intel® Xeon® 可擴充處理器的最新一代伺服器。與前幾代產品相比，美光 DDR5 在 Dell PowerEdge 760 平台上執行 SPECjbb 的速度提高了 48%。3

    閱讀美光 DDR5 文章
    黑暗伺服器機房資料中心儲存裝置 3D 算圖

    遷移到 DDR5 的優勢

    DDR5 是下一世代的 DRAM，帶來一系列提升可靠度、可用性與可維護性（RAS）的新功能，此外還能降低功耗、大幅提升效能。請參閱下文清單，瞭解 DDR4 與 DDR5 之間的一些主要功能差異。

     

    效能／選項 DDR4 DDR5 DDR5 優勢  
    資料率  600-3200MT/s 4800-8800MT/s  提升效能和頻寬  
    VDD/VDDQ/VPP  1.2/1.2/2.5   1.1/1.1/1.8 降低功耗  
    內部 VREF VREFDQ VREFDQ、VREFCA、VREFCS 提高電壓裕量，降低 BOM 成本  
    裝置密度  2Gb-16Gb  16GB、24GB、32GB 支援更大的單片設備  
    預取  8n 16n 保持內部核心時脈低  
    DQ 接收器均衡 CTLE DFE 改善 DRAM 內接收 DQ 資料眼的開啟情況  
    佔空比調整 (DCA) 無 DQ 和 DQS 改善傳輸 DQ/DQS 針腳上的訊號  
    內部 DQS 延遲監控
    		 無  DQS 間隔振盪器  提高對環境變化的穩健性  
    晶粒內建 ECC 無 128b+8b SEC，錯誤檢查和清理 增強晶片上 RAS  
    CRC 寫入 讀取／寫入 透過保護讀取資料增強系統 RAS  
    記憶庫群組 (BG)/記憶庫 
    		 4 BG x 4 組記憶庫 (x4/x8)
    2 BG x 4 組記憶庫 (x16)    		 8 BG x 4 組記憶庫 (16-64Gb x4/x8)
    4 BG x 4 組記憶庫 (16-64Gb x16)    		 提高頻寬／效能  
    指令／位址介面 ODT、CKE、ACT、RAS、CAS、WE、A<X:0>  CA<13:0> 大幅減少 CA 針腳數量  
    ODT DQ、DQS、DM/DBI DQ、DQS、DM、CA 匯流排  提高訊號完整性，降低 BOM 成本  
    突發長度 BL8（和 BC4） BL16（和 BC8 OTF） 允許僅使用 1 個 DIMM 子通道進行 64B 快取行擷取。  
    MIR（「鏡像」針腳） 無 是  改善 DIMM 訊號  
    匯流排反轉  資料匯流排反轉 (DBI) 指令／位址反轉 (CAI) 降低 VDDQ 訊號  
    CA 訓練、CS 訓練 無 CA 訓練、CS 訓練 提高 CA 和 CS 針腳的時序裕量  
    寫入均衡訓練模式 是 已改善 彌補不符的 DQ-DQS 路徑  
    讀取訓練模式 可透過 MPR 實現 用於串列（使用者定義）、時脈和 LFSR 產生的訓練模式的專用 MR 使讀取時序餘量更加穩健  
    模式暫存器 7 x 17 位元 高達 256 x 8 位元（LPDDR 類型讀取／寫入）  提供擴展空間  
    預充電指令 所有記憶庫和每組記憶庫 所有記憶庫、每組記憶庫和相同記憶庫 PREsb 實現對每個 BG 中的記憶庫進行預充電  
    更新指令  所有記憶庫 所有記憶庫和相同記憶庫 REFsb 實現對每個 BG 中的記憶庫進行更新  
    環回模式 無 是 實現 DQ 和 DQS 訊號測試   

    美光 DDR5 生態系統夥伴

    美光與特定的生態系統夥伴密切合作，提前提供次世代儲存裝置和記憶體協定的資訊。瞭解詳情：

    1.   美光與 AMD 合作實現次世代資料中心效能。

    2.   美光與 Intel 合作提供次世代伺服器平台。

    生態系統夥伴 AMD 合作 Intel 合作

    相關資訊

    設計工具

    滿足您設計需求的工具和資源唯一來源，讓美光產品和解決方案發揮最大效益。

    檢視所有設計工具
    Blue and purple technology circuit
    1.  STREAM 基準測試：單插槽第三代 AMD EPYC CPU 7763（64 核心），配備美光 DDR4 3200 MHz 系統的速度可達 189 GB/秒；單插槽第四代 AMD EPYC CPU 9654（96 核心），配備美光 DDR5 4800 MHz 系統，速度可達 378 GB/秒；該結果根據美光奧斯汀實驗室的測試。
    2.  目前正提供樣品給生態系統夥伴。
    3.  https://www.dell.com/en-us/blog/leading-sap-hana-performance-by-dell-poweredge-r760-servers/
    4. 根據競爭產品資料表和 JEDEC 規範。
    5. 與 SK Hynix 的 5,600 MT/s 3DS TSV 產品相比，美光 5,600 MT/s 128GB DDR5 RDIMM 記憶體的功耗效率提高了 22.2%。 

     

    顧客支援

    要聯絡我們嗎？ 請聯絡我們的支援團隊，並獲取各個辦公地點的聯絡資訊。

    聯絡支援團隊

    搜尋、篩選和下載資料表

    深入瞭解產品特性、規格、功能等資訊。

    搜尋資料表

    訂購美光樣品

    您可以線上訂購和追蹤美光記憶體樣品的訂單。

    訂購樣品

    下載項目與技術文件

    幫助您設計、測試、構建並最佳化創新設計。

    下載項目與技術文件