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DRAM 元件

DDR5 DRAM

搭配 Intel® Xeon® 6 處理器可實現最佳記憶體效能和容量

美光(Micron)MRDIMM 提供最高頻寬、最低延遲和最大容量的主記憶體,用於加速使用 Intel Xeon 6 處理器的 AI 和高效能運算環境等記憶體密集型工作負載。

我們的大容量 MRDIMM 提供 32GB 到 256GB 的容量,可隨時部署到資料中心環境中。美光(Micron)的高效能 MRDIMM 解決方案可將頻寬和能源效率提高 39%。

DDR5 MRDIMM 組圖

業界首款可擴充記憶體

美光提供更高效能 DRAM:

  • 整體頻寬擴展,DDR5 RDIMM 速度高達 8000 MT/s,MRDIMM 速度高達 8800 MT/s
  • 與 3200 MT/s 的 DDR4 SDRAM 相比,記憶體頻寬提升高達 2 倍
  • 以 32Gb 單片晶粒為基礎的 128GB RDIMM 帶來全新的更大容量

     
美光 DDR5 MRDIMM

以美光 96GB 和 128GB 高容量 RDIMM 推動 AI 進展

美光世界級大容量 RDIMM 正在推動全球 AI 資料中心的發展。128GB DDR5 RDIMM 記憶體採用美光(Micron)領先業界的 1β(1-beta)技術,與同類 3DS 矽通孔(TSV)產品相比,位元密度提高了 45% 以上4,能效提高了 22%5,延遲降低了 16%4。 

美光 DDR5 RDIMM 96GB 和 128GB 模組珠聯璧合

美光 DDR5 SDRAM:可擴充記憶體適用於不斷成長的處理器核心數

提供將大型資料集快速且有效率地轉為洞察力所需的記憶體頻寬,促進現代工作負載的效能。

Mixed race technician using digital tablet in server room

DDR5 技術應用支援計畫

DDR5 技術應用支援計畫(TEP)提供通往美光(Micron)的途徑,可率先獲得技術資訊和支援、電氣和熱能模型以及記憶體產品,以協助設計、研發和推出新一代運算平台。

抽象霓虹燈進入數位科技隧道。未來感科技抽象背景與網路、大數據、資料中心、伺服器、網際網路、速度線條。3D 算圖

DDR5 的優勢


Details


美光 DDR5:適用於新一代 Intel 伺服器平台的記憶體技術

Intel 宣布推出搭載第四代 Intel® Xeon® 可擴充處理器的最新一代伺服器。與前幾代產品相比,美光(Micron)DDR5 在 Dell PowerEdge 760 平台上執行 SPECjbb 的速度提高了 48%。3

黑暗伺服器機房資料中心儲存裝置 3D 算圖

遷移到 DDR5 的優勢

DDR5 是下一世代的 DRAM,帶來一系列提升可靠度、可用性與可維護性(RAS)的新功能,此外還能降低功耗、大幅提升效能。請參閱下文清單,瞭解 DDR4 與 DDR5 之間的一些主要功能差異。

 

效能/選項 DDR4 DDR5 DDR5 優勢  
資料率  600-3200MT/s 4800-8800MT/s  提升效能和頻寬  
VDD/VDDQ/VPP  1.2/1.2/2.5   1.1/1.1/1.8 降低功耗  
內部 VREF VREFDQ VREFDQ、VREFCA、VREFCS 提高電壓裕量,降低 BOM 成本  
裝置密度  2Gb-16Gb  16GB、24GB、32GB 支援更大的單片設備  
預取  8n 16n 保持內部核心時脈低  
DQ 接收器均衡 CTLE DFE 改善 DRAM 內接收 DQ 資料眼的開啟情況  
佔空比調整(DCA) DQ 和 DQS 改善傳輸 DQ/DQS 針腳上的訊號  
內部 DQS 延遲監控
無  DQS 間隔振盪器  提高對環境變化的穩健性  
晶粒內建 ECC 128b+8b SEC,錯誤檢查和清理 增強晶片上 RAS  
CRC 寫入 讀取/寫入 透過保護讀取資料增強系統 RAS  
記憶庫群組(BG)/記憶庫 
4 BG x 4 組記憶庫(x4/x8)
2 BG x 4 組記憶庫(x16)
8 BG x 4 組記憶庫(16-64Gb x4/x8)
4 BG x 4 組記憶庫(16-64Gb x16)
提高頻寬/效能  
指令/位址介面 ODT、CKE、ACT、RAS、CAS、WE、A<X:0>  CA<13:0> 大幅減少 CA 針腳數量  
ODT DQ、DQS、DM/DBI DQ、DQS、DM、CA 匯流排  提高訊號完整性,降低 BOM 成本  
突發長度 BL8(和 BC4) BL16(和 BC8 OTF) 允許僅使用 1 個 DIMM 子通道進行 64B 快取行擷取。  
MIR(「鏡像」針腳) 是  改善 DIMM 訊號  
匯流排反轉  資料匯流排反轉(DBI) 指令/位址反轉(CAI) 降低 VDDQ 訊號  
CA 訓練、CS 訓練 CA 訓練、CS 訓練 提高 CA 和 CS 針腳的時序裕量  
寫入均衡訓練模式 已改善 彌補不符的 DQ-DQS 路徑  
讀取訓練模式 可透過 MPR 實現 用於串列(使用者定義)、時脈和 LFSR 產生的訓練模式的專用 MR 使讀取時序餘量更加穩健  
模式暫存器 7 x 17 位元 高達 256 x 8 位元(LPDDR 類型讀取/寫入)  提供擴展空間  
預充電指令 所有記憶庫和每組記憶庫 所有記憶庫、每組記憶庫和相同記憶庫 PREsb 實現對每個 BG 中的記憶庫進行預充電  
更新指令  所有記憶庫 所有記憶庫和相同記憶庫 REFsb 實現對每個 BG 中的記憶庫進行更新  
環回模式 實現 DQ 和 DQS 訊號測試   

美光 DDR5 生態系統夥伴

美光與特定的生態系統夥伴密切合作,提前提供次世代儲存裝置和記憶體協定的資訊。瞭解詳情:

1.   美光與 AMD 合作實現次世代資料中心效能。

2.   美光(Micron)與 Intel 合作提供次世代伺服器平台。

相關資訊

常見問答

DDR5 DRAM 是第五代雙倍資料速率(DDR)動態隨機存取記憶體(DRAM)技術。DDR 是指在時脈訊號的上升邊緣和下降邊緣傳輸資料。DRAM 是一種半導體記憶體,將資料位元儲存在包含電容器和電晶體的記憶體元件中。美光 DDR5 DRAM 記憶體有 16/32/64GB 和 24/48/96GB 兩種容量。

不適用。DDR5 伺服器記憶體與 DDR4 主機板並不相容。DDR5 僅適用於 2022 年 10 月後上市的所有 CPU(中央處理器)的 DDR5 伺服器主機板。DDR5 專為資料密集型工作負載而設計,例如生成式 AI、機器學習、深度學習和其他執行複雜演算法的工作負載。

兩者皆是!若是指記憶體實際傳輸速率,美光(Micron)使用每秒百萬傳輸(MT/s)。若是指記憶體實際時脈速度,則適合使用兆赫(MHz)。由於所有的 DDR 記憶體技術,包括 DDR5 在內,都是「雙倍資料速率」,所以在時脈的上升邊緣與下降邊緣都會發生資料傳輸。因此,最快速 DDR4 記憶體以 3200MT/s 或 1600MHz 計量。DDR4 傳輸速率範圍介於 1866MT/s 至 3200MT/s 之間,而美光 DDR5 的傳輸速率為 4800MT/s 和 5600MT/s。所有 2024 CPU(中央處理器)的速度都將達到 6400MT/s 至 8800MT/s。

作為 DRAM(動態隨機存取記憶體)的下一代產品,DDR5 強化了需要大量記憶體頻寬的資料處理應用程式,例如機器學習、人工智慧和大數據分析。DDR5 提供更快速度,效能比 DDR4 高 85% 或以上。DDR5 的資料速率(速度)範圍介於 4800MT/s 至 8800MT/s 之間,可提供更高效能的記憶體,旨在提高可靠性、可用性和可維護性(RAS)。

  • 更高效能:DDR5 的起始執行速度為 4800MT/s,而 DDR4 的最高速度為 3200MT/s。由於該提升,HPC(高效能運算)工作負載的效能提升兩倍。在深度學習方面,美光 DDR5 記憶體的效能是 DDR4 的五倍
  • 提升可靠性:ODECC(晶粒內建錯誤更正碼)可偵測所有單位和雙位錯誤碼,並在將單位錯誤碼傳送至主機 CPU/GPU 之前解決問題。ODECC 是 DDR5 規格的進化,用於提升客戶品質並實現未來擴充。
  • 總體擁有成本:我們的美光 96GB DDR5 DRAM 技術針對企業和雲端服務提供者環境中的 TCO(總體擁有成本)進行最佳化。美光 DDR5 記憶體經過驗證,提供 16/32/64GB 和 24/48/96GB 容量。

有關更多資訊和差異概要,請參閱我們對 DDR5 與 DDR4 的並排評估

是,隨著資料中心轉向支援用於 AI 訓練的更複雜演算法,DDR5 在以下方面優於 DDR4:

  • 美光 DDR5 伺服器 DRAM 的效能幾乎是 DDR4 的兩倍。與 DDR4 不同,DDR5 經過最佳化,可將伺服器和工作站效能提高 85% 或以上。DDR4 於 2014 年首次推出,現已無法滿足資料中心的需求。在單一平台上主動執行更多虛擬機器實例時,DDR5 技術可緩解每核心所短缺的記憶體頻寬,並提高虛擬化應用程式的效能和回應能力。
  • 憑藉 96GB 的新模組密度,DDR5 將高效能伺服器的最大容量提高了 50%。這帶來更多運算空間,而無需購買額外的伺服器。
  • 美光所打造的 DDR5 伺服器記憶體具備電源管理積體電路(PMIC),這意味著客戶無須負擔整個系統電源管理的成本。這種設計表示當部分系統插槽閒置時,驅動 DDR5 伺服器的成本相較 DDR4 伺服器為低。美光伺服器記憶體不僅具有高品質,而且價格通常低於 OEM 伺服器記憶體。
  • 美光 DDR5 伺服器記憶體提供比 DDR4 更高的頻寬、更佳的可靠性、可用性和擴展性。100% 通過元件與模組測試,符合關鍵任務伺服器標準,而且已經過最佳化,適用於次世代 Intel® 以及 AMD® DDR5 伺服器和工作站平台。美光是三大主要記憶體製造商之一,我們對 DDR5 伺服器記憶體進行測試和驗證,以支援所有主要的 DDR5 伺服器平台。

不會。目前有龐大的安裝客群,在未來多年仍需要 DDR4 的持續支援。美光比照 DDR4 剛推出時對於 DDR3 的製造安排,計畫繼續使用我們的 1α(1-alpha)節點製造 DDR4。

DDR5 在許多應用程式中都具有優勢,最適合極大化 DDR5 伺服器和工作站效能,以滿足 AI、深度學習、高效能運算(HPC)、雲端運算、虛擬化超級運算,以及要求記憶體提供最高速和即時性的記憶體內建資料庫應用程式。

HPC 工作負載尤其需要記憶體頻寬,而缺少足夠的記憶體頻寬通常會限制其效能。這些複雜的工作負載專注於解決人類面臨的一些最具挑戰性的問題,包括天氣和氣候模擬、地震建模以及物理、化學和生物分析。 美光 DDR5 在分子動力學、天氣研究和預測以及 OpenFOAM 工作負載方面的效能提高兩倍

這些工作負載還強調具有大型資料集的複雜系統的模擬、預測和模型類型,這些資料集通常與 AI 和其他資料分析組合,以支援商業和科學的複雜工作流程分析。它們的使用有助於減少各種應用程式的研發時間和成本。

DDR5 的工作電壓為 1.1 伏,而 DDR4 的工作電壓為 1.2 伏,功耗顯著降低。

美光與 CPU 和平台研發業界領導公司及系統和主機板主要製造商密切合作,共同研究新一代的記憶體技術。美光是有實績證明的業界領導者,創新專業不僅展現於銷售,更發揮於工程設計,由始至終為伺服器打造優質記憶體產品。美光 96GB DDR5 是我們採用單一晶粒封裝的高容量 DIMM,與競爭對手的 128GB DDR5 記憶體相比,成本低 60%,功耗低 4%。

隨著 DDR5 記憶體模組這項新技術全面展開量產,預期初始價格會比 DDR4 高(高出 50% 以上)。之後成本會逐步降低,不過每個 DDR5 模組都會包含一個小型電源管理積體電路,是從主機板上的單一大型電路獨立分出。此項改變連同元件電壓從 1.2V 降至 1.1V,可以提升電源管理,而逐步降低整體系統成本。此外,由於 DDR5 可提供約 85% 的效能提升,升級能有效減少整個總體擁有成本。

AMD 於 2022 年 10 月推出第 4 代 EPYC 處理器,Intel 於 2023 年 1 月推出第 4 代 Xeon 處理器。這些產品支援 DDR5 記憶體。請查看您所喜愛系統廠商的動態,在您的資料中心善加利用這項開創新局的技術。

在採用 DDR5 時,需要考慮相容性和總體擁有成本等因素。我們的技術團隊可解答與需求相關的任何問題或疑慮。請聯絡我們以獲得更多資訊。

設計工具

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Blue and purple technology circuit
1.  STREAM 基準測試:單插槽第三代 AMD EPYC CPU 7763(64 核心),配備美光 DDR4 3200 MHz 系統的速度可達 189 GB/秒;單插槽第四代 AMD EPYC CPU 9654(96 核心),配備美光 DDR5 4800 MHz 系統,速度可達 378 GB/秒;該結果根據美光奧斯汀實驗室的測試。
2.  目前正提供樣品給生態系統夥伴。
3.  https://www.dell.com/en-us/blog/leading-sap-hana-performance-by-dell-poweredge-r760-servers/
4. 根據競爭產品資料表和 JEDEC 規範。
5. 與 SK Hynix 的 5,600 MT/s 3DS TSV 產品相比,美光 5,600 MT/s 128GB DDR5 RDIMM 記憶體的功耗效率提高了 22.2%。 

 

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