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1. 書面保密協議。如果接收方和 MTI 已簽訂書面保密協議（以下稱「保密協議」），而該協議在接收方簽訂本協議時已生效，且該保密協議已適用於並規範機密資訊（定義見下文），則該保密協議的條款應適用於並規範接收方有關該保密資訊的義務，而非本協議的條款。
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（i）接收方透過有效證據證明，在揭露時接收方已合法擁有且無須承擔保密義務的資訊；
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（iii）接收方在未使用或參考機密資訊的情況下獨立開發的資訊；
或 (iv) 從有權不受限制地轉讓或揭露給接收方的第三方處合法獲得的資訊。
3. 揭露目的和使用限制。本協議項下揭露的機密資訊僅供接收方內部評估之用及／或協助接收方將 MTI 裝置或產品應用於商業產品（以下簡稱「目的」）。接收方應僅根據本協議的條款使用機密資訊以達成目的，不得進一步使用全部或部分機密資訊。
4. 不揭露。接收方同意保護機密資訊，並至少採取與保護其自身機密和專有資訊相同的謹慎程度，且在任何情況下都不得低於合理的謹慎程度。接收方不得向其僱員、代理、承包商和顧問（統稱為「代表」）以外的任何人士揭露、公佈或傳播機密資訊，該等代表需要瞭解機密資訊以達成目的，並受書面協議的約束，該協議禁止未經授權揭露或使用機密資訊，其限制性和保護性條款不低於本協議所載條款。接收方將對其代表違反本協議條款的行為負責。接收方可在法律要求的範圍內揭露機密資訊，但接收方應立即書面通知 MTI 該等揭露要求，並且接收方應配合 MTI 保護機密資訊的工作。若發生未經本協議授權的任何機密資訊揭露，接收方應立即書面通知 MTI。
5. 意見回饋。儘管本協議有任何其他規定，若接收方向 MTI 提供任何有關機密資訊的想法、建議或推薦（統稱為「意見回饋」），只要 MTI 不侵犯接收方在意見回饋中的專利權、版權或商標權，MTI 可自由使用該等意見回饋並將其納入 MTI 的產品中，而無須向接收方支付版稅或其他對價。
6. 副本。接收方不得製作機密資訊的任何副本，但為達成上述目的所嚴格必要者，不在此限。製作的任何副本必須與原件完全相同，不得修改，並應視為 MTI 的財產。
7. 無許可。無保證。除本協議明確規定外，本協議不以明示、暗示、禁止反言或其他方式授予任何專利、版權、光罩作品或商標的許可。任何該等許可必須由 MTI 以書面形式明確授予。所有機密資訊均為 MTI 的財產，本協議的任何條款均不得限制 MTI 以任何方式使用、揭露或傳播該等機密資訊。機密資訊根據本協議「按原樣」揭露，不作任何形式的陳述或保證，包括但不限於對該等機密資訊的準確性、完整性或實用性的陳述或保證。
8. 保密義務的終止。本協議自接收方點選「接受」之日起生效。即使本協議終止，本協議的規定仍應在每次揭露機密資訊之日起五（5）年內繼續有效。MTI 可隨時自行決定終止本協議，但需向接收方發出書面通知（包括透過 MTI 安全網站或電子郵件向接收方傳送的通知）。
9. 歸還機密資訊。在 MTI 提出書面要求的十 (10) 個工作日內，根據 MTI 的選擇，接收方應向 MTI 歸還或證明已銷毀機密資訊，包括但不限於接收方建立的包含機密資訊的紙本和電子文件以及所有材料。
10. 管轄法律和律師費。本協議受美國愛達荷州法律管轄，但不包括法律衝突原則。接收方特此同意愛達荷州法院對本協議引起的任何爭議擁有屬人管轄權。在因本協議引起或與之相關的任何訴訟、行動或程序中，勝訴方有權獲得合理的律師費和合理的成本費。
11. 出口。接收方同意，除非遵守《美國出口管理法》和所有其他適用的出口管制法律或法規，否則不得以任何形式直接或間接出口或再出口機密資訊或其任何部分。
12. 禁令救濟。接收方承認並同意，違反本協議條款揭露機密資訊將對 MTI 造成無法彌補的損害，而金錢賠償並非適當的補救措施。因此，接收方同意，除 MTI 可獲得的任何其他補救措施外，若發生任何違反或威脅違反本協議的行為，MTI 應有權獲得禁令救濟，且接收方放棄就此交存保證金的任何要求。
13. 不默示放棄。除非以書面形式明確放棄，否則 MTI 未行使或延遲行使其在本協議項下的任何權利不構成對該等權利的放棄。
14. 一般條款。本協議：
（i）僅可由接收方和 MTI 授權代表以書面形式明確簽署後進行修訂或修改；
（ii）不得解釋為在本協議雙方之間建立任何合資企業、合夥企業或其他形式的商業聯盟；
（iii）未經 MTI 明確書面同意，接收方不得全部或部分轉讓或委託；
（iv）以雙方、雙方的繼承人、MTI 的受讓人和接收方的許可受讓人為受益人並具有約束力；
以及 (v) 僅使用英文撰寫，在所有方面均以英文為準，並且本協議的任何其他語言版本對本協議雙方均無約束力。
15. 授權簽署人。點選「接受」的個人可以選擇 (1) 以個人身分署本協議及存取機密資訊，並在此同意，如果以本協議未授權的方式揭露或使用機密資訊，其個人應對 MTI 承擔法律責任；或 (2) 以僱主或其他實體的名義簽署本協議及存取機密資訊，並在此聲明和保證，其擁有使該僱主或實體受本協議約束的充分法律權力，且該等僱主或實體作為本協議的接收方應受本協議所有條款和條件的法律約束。如果機密資訊是為僱主或實體提供的，但您沒有法律授權使該等僱主或實體受此約束，則您不得以任何方式存取、查看、閱讀或下載機密資訊，也不要點選「接受」。
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美光成立於 1978 年，是一間從位於愛達荷州博伊西市（Boise）牙科診所地下室發跡的四人半導體設計公司。我們的第一間生產工廠在 1980 年動工，幾年後便推出世上最小的 256K DRAM。1994 年，我們在《財富》世界 500 強中佔有一席之地，並憑藉我們的技術創新、關鍵合作夥伴和全球策略收購，穩定發展成為業界領導者。一起看看讓我們走到今天的重大里程碑。
美光在業內率先交付 8 層堆疊 24GB HBM3E 記憶體樣品，該記憶體具有超過 1.2TB/s 的頻寬，並透過公司先進的 1β 製程節點實現卓越的能效。
2023 年大事記
美光開始出貨全球首款 232 層 NAND，藉此擴大技術領先優勢
美光領先業界首創 232 層 3D NAND 為全新一波端到端技術創新打下基礎。憑藉業界首創的 232 層全新技術，美光打造業界最佳的儲存裝置密度、更強大的性能與業界最快的 I/O 速度。這將為用戶端、行動裝置與資料中心的數位化、最佳化與自動化帶來更多新的可能。
美光達成 50,000 項專利里程碑
美光的技術領先地位建立在記憶體、儲存裝置、半導體技術與其他領域的持續創新之上。達成第 50,000 項專利的里程碑，反映出美光全球團隊成員數十年來的創造力以及他們對推動創新的堅毅精神。
業界首款 1α DRAM 製程技術出貨
1α（1-alpha）節點 DRAM 產品採用全球最先進的 DRAM 製程技術，在位元密度、功耗與效能上大幅提升。此全新 DRAM 技術的應用範圍廣泛並且影響深遠-能增強從行動裝置到智慧車輛的所有性能。
2021 年大事記
首款使用 PAM4 多層次訊號的記憶體 GDDR6X 問世
GDDR6X 是全世界最快的獨立繪圖記憶體解決方案，首度能為系統提供高達每秒 1TB 的頻寬速度。GDDR6X 創新的多層次訊號打破傳統頻寬限制，創造破記錄的速度，同時提升了整個次世代遊戲應用程式中的複雜圖像工作負載量效能。
業界首款 176 層 NAND 快閃記憶體出貨
全球首款 176 層 3D NAND 快閃記憶體，達到前所未見業界領先的容量以及效能。美光以新推出的 176 層技術以及先進架構達到重大突破，在資料中心、智慧邊緣以及行動裝置的一系列儲存空間使用案例中大幅度提高應用程式效能。
2020 年大事記
美光的業界首款四層單元 NAND SSD 出貨
美光的業界首款採用革命性四層單元（QCL）NAND 技術的 SSD 出貨。Micron® 5210 ION SSD 帶來比三層單元（TLC）NAND 多了 33% 的位元容量，主打過去使用傳統硬碟（HDD）提供服務的市場。
2018 年大事記
美光宣布推出適合 IoT 裝置的 Authenta™ Security Technology
Micron® Authenta™ 技術有助於實現快閃記憶體中強大的加密 IoT 裝置身分和健康管理，從啟動程序開始，為最底層的 IoT 裝置軟體提供獨特程度的防護。
美光將 NVDIMM 的容量翻倍至 32GB
美光將 DDR4 NVDIMMs 的容量提高至 32GB，是過去解決方案的兩倍。NVDIMMs 亦稱為持久性記憶體，即使在斷電後也可以永久地將資料儲存在 DRAM 中。美光的 32GB NVDIMM-N 模組同時提供高容量和超快的處理量。
2017 年大事記
美光推出 GDDR5X，是全球最快的繪圖型 DRAM
這款記憶體的每 pin 資料傳輸率創下歷史新高，可實現龐大的圖形效能和 GPGPU 運算能力。GDDR5X 提供高達 14Gb/s 的資料傳輸率，基本上是先前 GDDR5 記憶體頻寬的兩倍。
美光組成 Xccela™ 聯盟，推廣新的介面匯流排類型
Xcella™ 產業聯盟的成立，有助於加速採用 Xccela 匯流排介面，此為一種適合揮發性和非揮發性記憶體的新高效能數位互連類型。
2016 年大事記
美光和 Intel 推出 3D NAND，是迄今為止最高容量的快閃記憶體
3D NAND 是半導體未來的轉折點。藉由垂直堆疊的資料儲存單元層，3D NAND 的容量是平面 NAND 技術的三倍。
美光和 Intel 宣布推出 3D XPoint™ 技術
3D XPoint 是時隔數十載問世的首款全新記憶體類別。這款非揮發性記憶體的速度可達 NAND 的 1,000 倍，耐用性可達 1,000 倍。
2015 年大事記
美光憑藉首款單片 8Gb DDR3 SDRAM 引領業界發展
此單一元件大幅提升單一晶片上的容量，達到 1GB，更高容量帶來高成本效益、高容量的解決方案，可支援大規模、資料密集的工作負載量。
美光推出世界最小的 16nm NAND 快閃記憶體裝置
美光的 16nm 製程技術可在單一晶粒上提供 16GB 的儲存，是迄今為止開發出最高容量的平面 NAND 快閃記憶體。使用此製程，一片 300mm 的晶圓上即可創造出將近 6TB 的儲存。
2013 年大事記
美光生產業界首款 2.5 吋 PCIe 企業級 SSD
此解決方案結合高效能 PCI Express 介面、可熱插拔的 2.5 吋規格尺寸和客製的美光控制器，為企業效能的可擴充性和可維修性帶來新選擇。
美光推出針對 Ultrabooks™ 裝置設計的全新低功率 DRAM 類別
DDR3L-RS 記憶體建立一個新的「低功率」DRAM 解決方案，實現較長的電池壽命，適合筆記型電腦、平板電腦和 Ultrabook 系統等新一代的高效能、超薄裝置。
*Ultrabook 是 Intel Corporation 或其子公司在美國和／或其他國家的商標。
美光和 Intel 宣布推出全球首款 20nm MLC NAND
這款 128Gb MLC 記憶體可在只有八個晶粒、一個指尖大小的封裝內儲存 1TB 的資料，為儲存立下新標準。此外，該記憶體首次採用創新的平面單元結構，克服了標準浮閘式 NAND 的縮放限制。
美光推出 HMC 架構
HMC 為革命性的 DRAM 架構，利用矽穿孔（TSV）技術，將高速邏輯與記憶體晶粒堆疊結合在一起。持續將從 HMC 學到的知識應用於未來、新興的記憶體技術上。
美光的 RealSSD™ C300、業界最快的用戶端 SSD 開始出貨
C300 推出時為業界最快的筆記型電腦和桌上型電腦 SSD，這款 SSD 支援 SATA III 介面，提供 6 Gb/s 的速度，大幅提高資料傳輸、應用程式負載和啟動時間的處理速度。
美光開發業界首款節距重覆 NAND
推出的節距重覆為一種微影技術，可在不進行微影變化的情況下增加位元容量。方法為位元線分離成第一和第二金屬層，讓美光能在現有的 50nm 技術上提供 16Gb MLC 裝置。
美光發展低延遲、低功耗 RLDRAM 2 記憶體
這款高效能 DRAM 原是針對網路連線所設計，但旋即意外成為特定應用的首選解決方案：DLP 電視和投影機。當密度隨著時間過去而增加，但低延遲的 DRAM 仍然是當今網路連線應用的主力。
美光和 Intel 率先推出 Sub-40nm NAND 快閃記憶體
此多層式儲存晶片（MLC）NAND 快閃裝置是業界首款單片 32Gb NAND，可在極小型規格尺寸中實現高容量固態儲存，包含數位相機、個人音樂播放器和數位攝錄影機。
美光開發 Mongoose 測試器，提高準確度，降低成本
此內部開發的測試器為美光獨家使用，以提高 DRAM 測試處理量和準確度。美光持續改善此測試器平台，以滿足未來新的記憶體標準。
美光推出世界上密度最高的伺服器記憶體模組
隨著虛擬化技術的興起，一台伺服器內有多種應用程式，美光的 16GB DDR2 模組遂隨著 2000 年代伺服器記憶體需求快速成長。這些高容量伺服器模組的趨勢一直延續至今。
美光推出高容量、低功耗的行動 LPDRAM
美光採用 33mm2 微小晶粒的 16MB DRAM，以微型化實現更高容量和更低功耗。隨著手機從單純的語音通話變成多媒體裝置，對 LPDRAM 的需求急遽增加，此趨勢一直延續至現今的智慧型手機。
美光推出用於手機的偽靜態 RAM
偽靜態 SRAM（PSRAM）取代 SRAM，提供行動裝置必需的高頻寬、容量及低功耗。美光在 PSRAM 上的領導地位，奠定了現今行動裝置中所用低功耗 DRAM 產品的基礎。
美光開發業界首款 6F2 DRAM 單元
美光開發全新的 6F2 單元架構，取代業界的 8F2 單元標準，使每片晶圓可增加約 25% 的位元數。此較高容量的設計，讓美光重新奪回業界最具成本競爭力記憶體生產商的稱號。
美光開發 1.3-Megapixel CMOS 影像感測器
美光跨足影像感測器，使公司成為能使影像品質與電荷耦合元件（CCD）感測器媲美的 CMOS 技術創新者。從智慧型手機到高階專業裝備，CMOS 感測器已成為今日各種數位攝影機的標準。
美光展示業界首款 110nm 製程的 1Gigabit DDR
美光的 1Gb DDR 以世界最先進的製程打造（110nm），超越仍採用 130nm 的半導體巨人 Intel 和 AMD。此晶片使美光成為記憶體產業容量和介面效能的領導者。
2002 年大事記
美光的四倍資料倍率 SRAM 雙倍記憶體頻寬
美光創新的四倍資料倍率（QDR）架構，有效地使 SRAM 頻寬增加一倍，適合交換器和路由器等通訊應用。此獨特設計使用兩個連接埠，分別以雙倍資料速率獨立運行，實現每個時脈週期運算四個資料項目。
美光生產業界首款 DDR DRAM
美光展示 Samurai 雙倍資料速率（DDR），證明 DDR 記憶體可提供相當於競爭對手 Direct RDRAM 解決方案的效能，但成本低很多。無庸置疑，DDR 終成為高效能 DRAM 的業界標準介面。
1999 年大事記
美光 16-Megabit DRAM 支援採用新 Windows 3.1 的個人電腦
儲存容量的里程碑，16-megabit DRAM 取代美光主打的 4-megabit DRAM 陣容。這些更大容量的晶片與微軟發佈 Windows 3.1 的時間重疊，將 PC RAM 的基本要求提高到 1MB。
美光推出首款影像 RAM 和快速靜態 RAM 產品
256K 影像 RAM 和快速靜態 RAM 的推出，將美光的產品組合擴大至傳統 DRAM 之外，讓美光成為差異化記憶體類型的一員。
美光 1-Megabit DRAM 上市
儲存容量的里程碑，1Mb DRAM 在 80 年代末和 90 年代成為 PC 和顯示卡記憶體的主流。美光的 1Mb DRAM 實現高容量 SIMM 模組，支援配備微軟新 Windows 作業系統的 PC。
1987 年大事記
美光展示世界上最小的 256K DRAM 晶片
除了推出世界上最小的 256K DRAM 晶粒外，此晶片亦代表了業界 DRAM 儲存容量的里程碑。藉由使用更大且更容易讀取的記憶體元件，256K DRAM 成為未來年輕記憶體新創公司高效率和獲利能力的跳板。
1984 年大事記
美光首款 64K DRAM 產品出貨
美光的 64K DRAM 是在愛達荷州博伊西市新建製造工廠所生產的第一款產品。美光將 64K DRAM 出售給許多首次大規模生產的個人電腦，包括 Commodore 64 家用電腦。
1981 年大事記
美光工程師完成 64K DRAM 的設計
雖然不是第一家生產 64K DRAM 的公司，但美光的工程師們創造出更新穎、更小巧的版本，被譽為世界上最小的 64K DRAM 設計。此創新設計促成公司 1981 年首次 64K 產品的大量生產。
成立美光科技
美光從一家位於愛達荷州博伊西市（Boise）牙科診所地下室的四人半導體設計公司開始。美光的第一份合約是為 Mostek Corporation 設計 64K 記憶體晶片。
1978 年大事記
