DRAM 模組

MRDIMM 記憶體

利用 MRDIMM(多重存取 DIMM)釋放更多核心的價值 Micron DDR5 MRDIMM 提供高頻寬、低延遲的主記憶體,具有大容量和更高的每瓦效能。這些特性可以加速 AI 和高效能運算環境中的記憶體密集型工作負載。 

資源和文件

利用 MRDIMM 釋放更多核心的價值

多重存取 DIMM 專為滿足現代資料中心的嚴格要求而設計,可提供更快的資料傳輸速率、更低的延遲和具有成本效益的大容量。

MRDIMM(多重存取 DIMM)革命:主記憶體效能的新時代

美光(Micron)運算產品事業群副總裁暨總經理 Praveen Vaidyanathan 和 Intel 記憶體與 IO 技術副總裁暨總經理 Dimitrios Ziakas 介紹了美光(Micron)的 MRDIMM 並探討了 MRDIMM 在主記憶體效能方面引發的革命。

美光 MRDIMM 創新技術提供最高效能和最低延遲的主記憶體,以加速資料中心工作負載

變革性的美光(Micron)MRDIMM 為記憶體密集型 HPC、AI 和類似工作負載提供動力。

35.2 毫秒實現市場洞察

美光 MRDIMM 與 Intel 處理器在金融風險分析 STAC-A2 基準測試中創造了新的世界紀錄。但這一成果不僅僅是令人印象深刻的速度。在本篇部落格中,我們將探討這一世界紀錄如何成為更廣泛故事中的關鍵資料點:記憶體正逐漸成為金融市場基礎設施中提升效能的關鍵因素。  

有彗星上揚圖案的蠟燭圖

搭配 Intel® Xeon® 6 處理器可實現最佳記憶體效能和容量

Micron DDR5 MRDIMM 提供最高頻寬、最低延遲和最大容量的主記憶體,用於加速使用 Intel Xeon 6 處理器的 AI 和高效能運算環境中的記憶體密集型工作負載。

我們的高容量 MRDIMM 提供 32GB 到 256GB 的容量,可隨時部署到配備相容 Intel 伺服器 CPU 的資料中心。美光(Micron)的高效能 MRDIMM DDR5 解決方案可將頻寬和能源效率提高 39%。

資料中心

MRDIMM 優勢

最佳化

多重存取 DIMM 在保持關鍵的每核心容量和每核心頻寬指標的同時,每個伺服器機架可支援具有更多核心數的處理器,進而最佳化資料中心的總體擁有成本(TCO)。

加速

利用業界最佳的 DIMM 頻寬提升效能,加速記憶體密集型工作負載。 

規模

美光 MRDIMM 記憶體透過改進任務能源效率來加快任務完成時間,幫助提高伺服器效能。

MRDIMM 的 8.8K MT/s 資料傳輸速率

實現高達 8.8K MT/s 的資料傳輸速率

MRDIMM 的頻寬增加 39%

MRDIMM DDR5 為追求 DDR5 RDIMM 資料傳輸速率的平台提供 39% 的頻寬升級1

MRDIMM 的載入密度降低 40%

美光 MRDIMM 為容量和頻寬敏感型工作負載最多降低延遲 40%2

三級模式

DDR5 MRDIMM 技術應用支援方案

DDR5 MRDIMM 技術應用支援方案 (TEP) 提供一條通往美光 (Micron) 的途徑,可率先獲得技術資訊和支援、電氣和熱能模型以及記憶體產品,以協助設計、研發和推出新一代運算平台。

常見問答

MRDIMM(多工階級雙行記憶體模組)是一種伺服器記憶體模組,使用 DIMM 多工器管理多個記憶體等級的資料,在記憶體與處理器之間實現更高的頻寬與更有效率的資料傳輸。
 

實務上,MRDIMM 可以結合雙階 DDR5 記憶體與多工緩衝區,並控制邏輯,以提升超越標準 DDR5 規格的速度,同時提供更高的頻寬、更低的延遲、更大的容量,並改善每瓦效能。

HBM 和 MRDIMM 是兩種不同形式的進階記憶體技術:

  • HBM(高頻寬記憶體)使用 3D 堆疊技術,為 GPU 和 AI 應用程式實現高頻寬。
  • MRDIMM 是更傳統的 DDR5 DIMM 技術的演進,其發展使伺服器具有更高的容量和頻寬。

第二代 MRDIMM 設計目前正由 JEDEC 定義。當 JEDEC 發布 MRDIMM 定義時,美光的產品將支援 JEDEC 標準。
 

美光的第一代 MRDIMM 產品支援 Intel® Xeon® 6 處理器。

不相容,它只與 Intel® Xeon® 6 處理器相容。 

相關資訊

1.比較 128GB MRDIMM 8800MT/s 與 128GB RDIMM 6400MT/s 的實證性 Intel 記憶體延遲檢查器(Intel MLC)資料。

2.比較 128GB MRDIMM 8800MT/s 與 128GB RDIMM 6400MT/s 的實證性 Llama 3 8B 資料。

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