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    QLC NAND 快閃記憶體

    G8 QLC NAND 快閃記憶體

    全方位升級儲存裝置效能與容量，實現全新境界端到端技術創新。

    業界領先的效能和密度。再次實現。

    繼推出業界首款、密度最高的 G7 QLC NAND 之後，美光再接再厲，現在又推出全球首款 G8 QLC NAND。1

    採用領先同級產品的 QLC 替代閘極架構，可提供業界最佳儲存密度，支援跨用戶端、行動裝置、汽車、資料中心和企業儲存裝置的使用案例。

    美光 G8 QLC NAND

    G8 QLC SSD 的三大優勢

    更高密度

    與前代技術相比，QLC 每個單元儲存更多位元，進而提高了密度和成本效益。全球首款 200+ 層 G8 QLC NAND 採用領先同級產品的架構，進而實現了業界最佳的儲存密度和更短的存取時間，美光憑藉這款產品獲得這些優勢。1,2​

    高效能

    業界領先的 2400 MT/s，讀取效能比上一代 G7 QLC NAND 提高 24%，寫入效能提高 31%。1,2​

    領先的密度，更小的佔用空間

    為 OEM 製造商提供每平方公釐最高的 GB（與業界現有 QLC NAND 相比），進而以更小的空間實現更大的容量，這對於用戶端裝置和大容量資料中心儲存裝置來說非常有用。2

    G8 QLC NAND​ 提供同級最佳的使用者體驗和效能

    Micron 2500 NVMeTM SSD 採用美光最先進的 G8 QLC NAND。它提供同級最佳的使用者體驗和日常運算效能。2

    深入瞭解
    Micron 2500 NVMe SSD 模組

    1. 競爭對手是指 SK Hynix、Solidigm、Kioxia、WD 和 Samsung。
    2. NAND 比較根據附註 1 所述的目前生產的 NAND 的公開資訊和美光在產品發布時提供的工程資料。

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