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Nand 快閃記憶體

QLC NAND 快閃記憶體

相較於 SLC、MLC 和 TLC NAND 快閃記憶體,美光四層單元 (QLC) NAND 提供更大的容量。憑藉高達 2Tb 的 QLC NAND 晶粒,美光 QLC NAND 提供市場領先的容量及同類最佳的效能,實現比以往更大的儲存容量及設計靈活性。


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G9 QLC NAND 快閃記憶體

業界首款搭載第九代 QLC NAND 的 SSD 現已出貨給 OEM 廠商,帶您搶先體驗未來的 SSD 效能。這款 SSD 採用首款用於 SSD 的 2Tb G9 QLC NAND 晶粒,為效能設定新標準。

其六平面 NAND 架構實現更高的平行處理能力,能同步執行更多讀寫命令,顯著提升系統效能。憑藉高達 3.6 GB/s 的 I/O 傳輸速率,可提供卓越的儲存效能。1,2

美光 G9 QLC NAND

G8 QLC NAND 快閃記憶體

繼推出業界首款、密度最高的 G7 QLC NAND 之後,美光再接再厲,現在又推出全球首款 G8 QLC NAND。1

採用領先同級產品的 QLC 替代閘極架構,可提供業界最佳儲存密度,支援跨用戶端、行動裝置、汽車、資料中心和企業儲存裝置的使用案例。

美光 G8 QLC NAND

1. 競爭對手是指 SK Hynix、Solidigm、Kioxia、WD 和 Samsung。
2. NAND 的比較基準是根據公開資訊,以及截至產品上市時、針對當前量產中之 NAND 產品所取得的美光工程數據(詳見附註 1)。

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