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NAND 快閃記憶體

176 層 NAND 快閃記憶體

美光在 176 層 3D NAND 領域的領先地位是端到端儲存技術創新的重要基礎。

176 層創新

美光的 176 層 NAND 是不同領域技師工具箱中不可或缺的強大建構基礎。利用這些優勢,增強您的競爭力:

獨特的技術

替代閘極架構將電荷陷阱與 CMOS-under-array(CuA)設計相結合。

效能更加優異

讀寫時間縮短 25%1,意味著啟動速度更快,應用程式回應能力更高。

廣泛的應用和部署選擇

多種介面、容量、規格尺寸以及 TLC 或 QLC 可供選擇,為行動、汽車、用戶端、消費者和資料中心應用程式提供了理想選擇。

176 層:從用戶端到雲端的創新

美光轉型至新一代 3D NAND 替代閘極技術

透過減少單元間電容耦合問題,並利用金屬控制閘極降低電阻,美光的替代閘極(RG)NAND 成為先進的大容量資料儲存系統的一部分,可提供快速、流暢和卓越的效能。

當前 NAND 與 RG NAND 之間的實體差異

相關資訊

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滿足您設計需求的工具和資源唯一來源,讓美光產品和解決方案發揮最大效益。

Blue and purple technology circuit

1. 比較係根據美光的 128 層替代閘極 NAND。

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