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NAND 快閃記憶體
多層單元（MLC）NAND 快閃記憶體每個單元有兩個位元，在效能和寫入耐用性之間實現良好平衡，適用於各種注重成本的高密度應用。
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本指南介紹了美光提供的各種快閃記憶體技術，幫助系統設計人員選擇滿足其需求的最佳快閃記憶體解決方案。
讓設計人員對每種 NAND 快閃記憶體的特性和優勢有基本瞭解，以便選擇合適的裝置。
如果您的寫入密集型企業應用程式需要比 SLC NAND 更具成本效益的解決方案，那麼美光的企業級 MLC（eMLC）NAND 可能是您的最佳選擇。此產品是事務密集型資料伺服器和企業裝置的理想儲存解決方案。
我們的 20nm 和 16nm FortisFlash 裝置採用 1 到 16 個晶粒堆疊的標準 BGA 封裝，在獲得高速 MLC 效能的同時提高耐用性。與標準 MLC 相比，FortisFlash 具有更高的耐用性，並且沒有企業級 MLC（eMLC）的使用限制。
行動運算和資料中心不斷增長的需求持續推動對大容量、高效能 NAND 快閃記憶體技術的需求。隨著平面 NAND 接近其實際擴充極限，每一代產品要滿足這些要求變得更加困難。我們的 3D NAND 技術採用創新的製程架構，容量是平面 NAND 技術的 3 倍，同時具有更高的效能和可靠性。
滿足您設計需求的工具和資源唯一來源，讓美光產品和解決方案發揮最大效益。
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