232 層 NAND

全方位升級儲存裝置效能、容量與功耗效率,實現全新境界端到端技術創新。

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232層 NAND : 更多遮罩層、更加創新、更進階

美光擴展了在 NAND 的領先地位,232 層NAND技術現正大量出貨中。

高效能

美光的232層NAND技術擁有業界最快的2.4 GB/s的NAND I/O轉換頻寬,能夠滿足以資料為中心工作負載(例如:人工智慧、非結構化資料庫、即時分析與雲端運算)的低延遲與高吞吐量要求。1

1 在市場推出時,NAND 的 I/O 速度為 1.6GB/s

Data Density

World's densest NAND offers customers design flexibility while enabling the highest TLC density per square millimeter ever produced at 14.6 Gb/mm2. The areal density is between 35% and 100% greater than competing TLC products.2

2Based on comparison of NAND currently shipping at time of announcement

普及的應用程式

更大的儲存容量:透過增加遮罩層堆疊,每片晶片皆可儲存多達 1 TB 的容量,每個封裝更可儲存多達 2 TB 的容量,在更多的裝置中提供更多的儲存容量,使從邊緣到雲端的各種裝置更智能且全面


市場區隔

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客戶端

輕薄的行動筆記型電腦設計在最佳效能、長效持久的電池壽命與時尚的外形選項需求之間取得平衡。由於封裝尺寸較前幾代產品減少了 28% ,美光 232 層NAND 客戶在使用輕薄型筆記本電腦時,不必為了便攜性而犧牲儲存容量。

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行動裝置

美光的進階程序技術實現了 NAND 快閃記憶體的創新,為行動儲存解決方案擴展了更多的可能性,這些解決方案大幅優化了空間受限以及在意用電量的行動終端使用者裝置。美光 232 層 NAND技術讓低功耗應用程式在用戶處理多項任務、下載或造訪喜歡內容時提供流暢的使用者體驗。

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智慧邊緣

232 層 NAND 裝置巧妙結合尺寸較小、密度較大以及低功耗與更快速、更小型、更省電的邊緣儲存技術需求。隨著邊緣儲存裝置的高容量與省電等應用發展,我們將見證許多為滿足儲存裝置更多創新與需求而開發出的全新應用程式與服務。

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資料中心

美光的232層 NAND 技術為資料中心提供了高效能、大容量、高密度的儲存裝置,與上一代產品相比,每一位元的能源效率都有所提升。對於資料中心營運商而言,這些都是相當重要的進展,他們在不斷增長的數據量之間取得平衡,同時還得符合降低用電量、減少房地產與永續發展等計劃。

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