上個月，美國國會抓住歷史機遇，通過了《晶片和科學法案》，加強了美國的技術領先地位和全球競爭力，拜登總統今天將簽署該法案。為響應這一重大立法里程碑，美光宣佈，我們承諾到本十年末向先進記憶體製造領域投資 400 億美元，這是美國有史以來對記憶體的最大投資。得益於《晶片與科學法案》提供的預期撥款和信貸，美光現在可以滿懷信心地推進這一重大的長期投資計畫。
我讚揚國會領導層確保了兩黨對該法案的支持，並祝賀拜登總統及其政府，特別是商務部長 Raimondo，她在法案通過過程中發揮了重要作用。他們的領導力正在為確保美國成為世界上最具創新性、最先進的記憶體製造和研發基地開闢道路。《晶片和科學法案》是在未來幾十年內加強和保持美國技術領先地位的重要的第一步。
今天，每 50 個記憶體晶片中只有一個是美國製造（所有美國製造的晶片都來自美光晶圓廠）。我們計劃進行的投資將在未來十年內提升美國的記憶體晶片製造能力，確保每十個記憶體晶片中有一個是美國製造。這對國家安全具有深遠的影響，因為它確保了供應鏈的安全，並建立了更可靠、更可信賴的半導體供應。
在美國建造新的記憶體製造廠有利於鞏固美國的技術領先地位，並促進各行業和整個社會的發展。這樣的投資有望在技術製造領域內外創造成千上萬個工作崗位，並帶來廣泛的行業創新。我們計劃在美國進行的投資將創造多達 40,000 個新的美國工作崗位，包括美光約 5,000 個高薪技術和營運崗位。這將為最尖端的技術解決方案帶來最先進的記憶體，這些解決方案將可以自豪地貼上「美國製造」標籤。
《晶片和科學法案》所帶來的投資將成為美光立足美國的關鍵。我們位於愛達荷州博伊西的公司總部是我們研究團隊的中心，也是美國唯一的 DRAM 研發基地。我們已投資數十億美元擴建弗吉尼亞州馬納薩斯的生產製造基地。去年年底，我們還成立了亞特蘭大設計中心，該中心將聘僱多元的人才，專注於次世代記憶體的工程設計，進一步推動物理定律。
為了滿足市場對創新記憶體解決方案的長期需求，並在美光數十年卓越技術、製造和營運的基礎上更上一層樓，我們計劃進行的製造投資實屬必要。不久的將來，美國將再次成為全球最先進的記憶體製造基地。我代表美光全體員工表示，能夠為開創美國半導體製造業的新紀元貢獻自己的力量，我們感到無比興奮。
