1α DRAM 技術

位元單位密度大突破!功耗效率提升,效能更加優異。美光以先進的 DRAM 製程技術展現創新能力:1α 節點。

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首創技術

應用傳統的微影製程處理 1α 的節點,在物理學而言幾乎是不可能的。為達成業界領先的節點突破,美光開創一種獨家的奈米製程,結合計算光刻和多重圖案,突破固有的光刻限制,並創造出全球首個 1α 節點製程。

記憶體密度顯著提升

相較上一代技術,美光領先的 1α DRAM 顯著提升了記憶體密度,提供滿足需要大量資料的應用程式的能力,並改善了從行動裝置和智慧型汽車到資料中心、工業邊緣等各個領域的性能。

提升功耗

美光的 1α DRAM 製程技術實現了更低功耗的行動 DRAM,並為行動裝置提供快速的 LPDDR5 運轉速度,這需要極高的 LPDRAM 效能要求。

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