設計工具
NAND 快閃記憶體

232 層 NAND 快閃記憶體

全方位升級儲存裝置效能與容量,實現全新境界端到端技術創新。

更多遮罩層、更加創新、更進階

美光利用 232 層 NAND 技術擴大 3D NAND 技術的領先地位。

高效能

美光的 232 層 NAND 技術擁有業界最快的 2.4 GB/s 的 NAND I/O 轉換頻寬,能夠滿足以資料為中心工作負載(例如:人工智慧、非結構化資料庫、即時分析與雲端運算)的低延遲與高吞吐量要求。

資料容量

全球密度最高的 QLC NAND 為客戶的設計提供了靈活性,同時為 OEM 製造商實現了最高的每平方公釐密度。1

應用範圍更普及

更高的儲存容量——透過增加遮罩層堆疊,每個晶粒的儲存容量可達 1Tb,每個封裝的儲存容量可達 2TB——為更多裝置提供更大的儲存空間。容量的增加使從邊緣到雲端的各種裝置更加智慧、功能更強。

率先推出 200+ 層 QLC NAND¹

美光連續第二次為 OEM 和儲存裝置業界領導者推出全球層數最高、密度最大的 QLC NAND。美光 232 層 QLC NAND 提供業界領先的 2400 MT/s I/O 效能,幫助 QLC NAND 進入主流市場。¹

美光 232 層 QLC NAND

嶄新端到端創新的基礎

從大型資料中心到最小型的裝置,NAND 對於滿足高效能、回應迅速的儲存裝置需求來說相當重要。美光透過次世代 232 層 NAND 技術擴展了在 NAND 的領先地位,該技術將實現更迅速與更大容量的儲存解決方案。

美光的 233 層 NAND 資訊圖

率先上市,首屈一指:全球首款 232 層 NAND

美光在 2020 年宣布推出首款 176 層 3D NAND,進而鞏固在 NAND 技術的領先地位。美光透過次世代 232 層 NAND 技術的推出與商業應用,進一步將領先地位的優勢發揮到極致。

摩天大樓

美光 NAND 技術:創新與領先地位的延伸

提供更密集的儲存裝置與 NAND 設計創新,為從邊緣到雲端的使用提供全新層次的效能與容量。

233 層

232 層的實際應用?

美光副總裁暨總經理 Jeremy Werner 與 Pure Storage 部門副總裁暨總經理 Bill Cerreta 以及產業分析師 Patrick Moorhead 一同探討美光全新 232 層 NAND 技術的實際應用。他們討論了層數或密度哪個較為重要,NAND 技術又能如何協助解決日益增長的儲存裝置需求,以及 232 層 NAND 技術的相關應用案例。

232 層的實際應用。

市場區隔

相關資訊

設計工具

滿足您設計需求的工具和資源唯一來源,讓美光產品和解決方案發揮最大效益。

Blue and purple technology circuit

1. NAND 比較根據 SK Hynix、Solidigm、Kioxia、WD 和 Samsung 目前在產 NAND 的公開資訊和美光在產品發佈時提供的工程資料。

 

顧客支援

要聯絡我們嗎? 請聯絡我們的支援團隊,並獲取各個辦公地點的聯絡資訊。

搜尋、篩選和下載資料表

深入瞭解產品特性、規格、功能等資訊。

訂購美光樣品

您可以線上訂購和追蹤美光記憶體樣品的訂單。

下載項目與技術文件

幫助您設計、測試、構建並最佳化創新設計。