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    NAND 快閃記憶體

    176 層 NAND 快閃記憶體

    美光在 176 層 3D NAND 方面的領導地位是端到端儲存裝置技術創新的重要基礎。

    夜幕下的辦公大樓

    創新 176 層

    美光 176 層 NAND 作為技師工具箱中不可或缺且功能強大的構建，廣泛應用於諸多行業。利用此類優勢提升您的競爭優勢：

    獨特技術

    替代閘極架構將電荷擷取與 CMOS-under-array (CuA) 設計相結合。

    效能更加優異

    讀取和寫入時間加快 25%1，代表啟動更快，應用程式回應能力提高。

    廣泛的應用程式和部署選項

    豐富的介面、容量、規格尺寸和 TLC 或 QLC 選擇，為行動裝置、汽車、客戶、消費者和資料中心應用提供了理想的選項。

    176 層：從客戶到雲端的創新

    美光升級至次世代 3D NAND 替代閘極技術

    美光的替代閘極 (RG) NAND 是先進的高容量資料儲存系統的一部分，透過金屬控制閘極減少單元間電容耦合問題和降低阻力，提供快速、流暢和卓越的效能。

    下載白皮書
    目前 NAND 和 RG NAND 之間的物理差異

    相關資訊

    1. 比較乃根據美光的 128 層替換閘極 NAND。

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    使用我們的設計工具和資源，測試、構建和維護高效能解決方案，藉此支援您的設計流程。

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