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NAND 快閃記憶體

176 層 NAND 快閃記憶體

美光在 176 層 3D NAND 方面的領導地位是端到端儲存裝置技術創新的重要基礎。

創新 176 層

美光 176 層 NAND 作為技師工具箱中不可或缺且功能強大的構建,廣泛應用於諸多行業。利用此類優勢提升您的競爭優勢:

獨特技術

替代閘極架構將電荷擷取與 CMOS-under-array (CuA) 設計相結合。

效能更加優異

讀取和寫入時間加快 25%1,代表啟動更快,應用程式回應能力提高。

廣泛的應用程式和部署選項

豐富的介面、容量、規格尺寸和 TLC 或 QLC 選擇,為行動裝置、汽車、客戶、消費者和資料中心應用提供了理想的選項。

176 層:從客戶到雲端的創新

美光升級至次世代 3D NAND 替代閘極技術

美光的替代閘極 (RG) NAND 是先進的高容量資料儲存系統的一部分,透過金屬控制閘極減少單元間電容耦合問題和降低阻力,提供快速、流暢和卓越的效能。

目前 NAND 和 RG NAND 之間的物理差異

相關資訊

1. 比較乃根據美光的 128 層替換閘極 NAND。

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