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NAND 快閃記憶體
QLC NAND 快閃記憶體
與 SLC、MLC 和 TLC NAND 快閃記憶體相比，美光四層單元（QLC）NAND 的密度更高。憑藉高達 2Tb 的 QLC NAND 晶粒，美光 QLC NAND 提供市場領先的密度和同類最佳的效能，實現前所未有的儲存密度和設計彈性。
詳細資料
業界首款用於 SSD 的第九代 QLC NAND 正在向 OEM 出貨，讓您體驗 SSD 效能的未來。這款 SSD 採用首款用於 SSD 的 2Tb G9 QLC NAND 晶粒，為效能設定新標準。
其六平面 NAND 架構允許更高的並行度，可同時發出更多讀取／寫入命令，顯著提高效能。憑藉高達 3.6 GB/s 的 I/O 傳輸速率，它提供卓越的儲存效能。1,2
繼推出業界首款、密度最高的 G7 QLC NAND 之後，美光再接再厲，現在又推出全球首款 G8 QLC NAND。1
採用領先同級產品的 QLC 替代閘極架構，可提供業界最佳儲存密度，支援跨用戶端、行動裝置、汽車、資料中心和企業儲存裝置的使用案例。
滿足您設計需求的工具和資源唯一來源，讓美光產品和解決方案發揮最大效益。
1. 競爭對手是指 SK Hynix、Solidigm、Kioxia、WD 和 Samsung。 2. NAND 比較根據附註 1 所述的目前生產的 NAND 的公開資訊和美光在產品發布時提供的工程資料。
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