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DRAM 元件

DDR3 與 DDR4 記憶體

DDR3 和 DDR4 之間部分主要功能差異比較。

DDR4:從 DDR3 遷移的優勢

DDR4 是 DRAM 的下一代演進,為企業、微型伺服器、平板電腦和超薄用戶端應用程式帶來更高的效能和更強大的控制功能,同時提高能源效率。下表比較了 DDR3 和 DDR4 之間的部分主要功能差異。

效能/選項DDR3DDR4DDR4 優勢
 電壓(核心和 I/O) 1.5V 1.2V 降低記憶體的電力需求
 VREF 輸入 2 – DQ 和 CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ 現已內部生成
 低電壓標準 是(DDR3L 為 1.35V) 否 降低記憶體耗能
 資料速率(Mb/s) 800、1066、1333、1600、1866、2133 1600、1866、2133、2400、2666、3200 轉移至更高速的 I/O
 容量 512Mb–8Gb 2Gb–16Gb 更能實現大容量記憶體子系統的需求
 內部記憶庫 8 16 更多記憶庫
 記憶庫群組 (BG) 0 4 更快的突發存取
 tCK – 啟用 DLL 300 MHz 至 800 MHz 667 MHz 至 1.6 GHz 更高的資料速率
t CK – 停用 DLL 10 MHz 至 125 MHz(可選) 未界定至 125 MHz 現已完全支援 DLL 關閉
 讀取延遲 AL + CL AL + CL 擴展值
 寫入延遲 AL + CWL AL + CWL 擴展值
 DQ 驅動程式 (ALT) 40Ω 48Ω 針對 PtP(點對點)應用程式進行最佳化
 DQ 匯流排 SSTL15 POD12 降低 I/O 雜訊和功耗
 RTT 值(單位:Ω) 120、60、40、30、20 240、120、80、60、48、40、34 支援更高的資料速率
 不允許 RTT 讀取突發 在讀取突發期間停用 使用方便
 ODT 模式 標稱、動態 標稱、動態、park 額外控制模式;支援 OTF 值變更
 ODT 控制 需要 ODT 訊號 不需要 ODT 訊號 ODT 控制方便,允許在 PtP 應用程式上進行非 ODT 路由
 多用途暫存器 (MPR) 四個暫存器 – 1 個已界定、3 個 RFU 四個暫存器 – 3 個已界定、1 個 RFU 提供額外的專業讀數

 

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