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位元單位容量大突破!功耗效率提升,效能更加優異。美光以先進的 DRAM 製程技術展現創新能力:1α 節點。
應用傳統的微影製程處理 1α 的節點,在物理學而言幾乎是不可能的。為達成業界領先的節點突破,美光開創一種獨家的奈米製程,結合計算光刻和多重圖案,突破固有的光刻限制,並創造出全球首個 1α 節點製程。
相較上一代技術,美光領先的 1α DRAM 顯著提升了記憶體容量,提供滿足需要大量資料的應用程式能力,並改善從行動裝置和智慧型汽車到資料中心、工業邊緣等各個領域的效能。
美光的 1α DRAM 製程技術實現了更低功耗的行動 DRAM,並為行動裝置提供快速的 LPDDR5 運轉速度,這需要極高的 LPDRAM 效能要求。
與美光之前的 1z DRAM 節點相比,記憶體容量增加 40%。
與美光上一代 1z 行動 DRAM 相比,節能 15%。
由美光 1α 節點支援的容量。
建造汽車或房子等大型且可辨識的物件,是一回事。建造精細微小的物件,能夠讓數十億人放置於如同一個指甲般大小的區域內,又是另一回事了。後者製程被稱為是奈米製造,也是美光製造光纖記憶體晶片的方式。在 2020 年,我們公佈了當時全球最先進的奈米製造技術,並稱為 1α(1-alpha)。請看美光 DRAM 製程整合副總裁 Thy Tran 解釋 1α DRAM 製程技術真正令人驚嘆之處,以及她和她的美光全球團隊如何在創紀錄的時間內將 1α 從概念實際轉換為量產製造。
2021 年初,美光宣布量產出貨使用當時全球最先進的 DRAM 製程技術製造的記憶體晶片。這種製造技術被稱為 1α (1-alpha),在位元容量、功耗與效能等方面都有顯著改善。閱讀這篇文章,瞭解什麼是 1α ,以及為何它代表了奈米製造技術的重大躍進。
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