一股創新的浪潮已經開始衝擊我們的海岸。這股浪潮就是支援 5G 的智慧型手機。我們只能開始揣測這股 5G 創新洪流將帶來哪些全新的使用者體驗。
但是，我們需要新的思維方式來融合行動、5G 和人工智慧 (AI) 技術。我們需要全方位的方法，將更高的記憶體頻寬和容量與更低的延遲和更低的功耗結合在一起。
美光在行動記憶體和儲存裝置方面的領先地位幫助我們釋放 5G 體驗的無限潛力。我們率先實現了 LPDDR5 的量產，並率先將用於 5G 的 uMCP5 技術推向市場，我們將繼續幫助 OEM 充分利用 5G 的 1 Gbps 或更快下載速度，以釋放其先進處理引擎的強大能力。
美光將繼續引領高階和旗艦型手機的記憶體創新，並於今天宣佈其全球首款 176 層行動 UFS 3.1 產品已大量出貨。此外，最新的 uMCP5 產品（搭載低功耗 DDR5 (LPDDR5) DRAM 的 UFS 多晶片封裝）已準備好進行資格認證。早前發佈的 176 層 NAND 技術是世界上技術最先進的快閃記憶體，具有業界領先的容量。
用於行動裝置的美光 176 層 UFS 3.1 產品。
新的 176 層 3D NAND 具有更高的頻寬、更低的延遲和更高的功耗效率，可幫助智慧型手機設計人員提供反應更靈敏的行動體驗，實現真正的跨應用程式多工處理，而且一次充電即可完成所有任務。科技能否提供消費者想要的行動體驗？ 當然可以，方法如下。
更快的下載和應用程式啟動速度
透過利用 5G 連網能力，支援 AI 的手機應用程式將提供新的使用者體驗，這些體驗比以往任何時候更加豐富、更加身臨其境。消費者希望這些體驗能像最簡單的智慧型手機任務一樣流暢、快速地執行。智慧型手機可以播放節目和歌曲，讓使用者透過社交網絡與朋友和家人建立聯繫，並捕捉生活中最珍貴的瞬間。沉浸式體驗是人們期望獲得的智慧型手機體驗的一部分，並且人們還期望智慧型手機能夠對人的意圖瞬時做出反應。
但是，新興的 AI 驅動技術，如運算攝影、4K/8K 視訊捕捉和串流、混合實境 (AR/VR) 和類似遊戲主機的雲端遊戲，都需要快速記憶體才能快速儲存和開啟下載的檔案並啟動應用程式。AI 驅動的應用程式所生成和處理的海量 5G 資料為這些用例提供了動力。
隨著 5G 的普及，行動記憶體和儲存裝置效能也必須隨之擴充，以跟上快速的資料下載速度。美光的 176 層行動 UFS 3.1 儲存裝置可透過更快的應用程式啟動、多工處理和切換實現快速下載，從而帶來流暢的行動體驗。消費者可以利用 5G 的峰值資料傳輸速率（高達 20 Gbps），使混合工作負載效能的速度提升 15%，讀取／寫入延遲縮短 35% 或更多。與美光上一代大容量 3D NAND 相比，這種全新的 176 層 NAND 可大幅加快應用程式效能，循序寫入時間最多可縮短 75%。1
在實際使用情況下，使用者可在 0.7 秒內下載 10 分鐘的 4K（2160p）YouTube 視訊串流，或在約 9.3 秒內下載兩小時的 4K 電影，這比當前的 5G 速度快得多。2
美光 176 層 NAND 還提高了服務品質 (QoS)，與上一代 NAND 相比，延遲縮短了約 10%，從而加快了應用程式的啟動和切換速度。此外，它還將總寫入位元組數 (TBW) 提高了兩倍，從而改進了元件的穩定性和使用壽命。
由美光行動技術提供支援
美光將 176 層 NAND 用作 UFS 3.1 解決方案，為使用者帶來了反應更靈敏的行動體驗，實現了真正的跨應用程式多工處理。該儲存解決方案與新的 LPDDR5 和 1α LPDDR4X 記憶體解決方案一起加入了我們的行動產品組合，幫助推動下一波支援 5G 和 AI 的智慧型手機浪潮。
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1. 比較基於美光上一代 UFS 3.1，該產品使用浮閘式 96 層 NAND。
2. 所給出的時間是實際使用時間的估計值，根據 256GB 密度規格和每小時 7GB 檔案大小的 4K 影片計算得出。176 層 UFS 3.1 比使用浮閘式 96 層 NAND 的上一代 UFS 3.1 快 15%。
3. 比較基於美光上一代 UFS3.1，該產品使用浮閘式 96 層 NAND。測試案例包括啟動時間和影像載入。