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一波創新已經開始衝擊我們的海岸了。該浪潮指的是支援 5G 的智慧型手機。我們只能開始對這種 5G 創新所帶來的新使用者體驗造成負擔。
但是需要一種新的思維方式來融合行動、5G 和人工智慧 （AI）技術。我們需要全方位的方法，其中更高的記憶體頻寬和容量結合更低的延遲和更低的功率。
美光 176 層行動 UFS 3.1 產品
美光的行動記憶體和儲存裝置領導地位，讓 5G 體驗充分發揮潛力。我們率先在 LPDDR5 大量生產，並率先推出 uMCP5 技術用於 5G 技術的產品，而且我們持續讓 OEM 廠商充分利用 5G 下載速度 1 Gbps 或更快，以釋放其先進處理引擎的強大功能。
美光持續引領高階和旗艦手機的記憶體創新，今天宣布全球首批 176 層行動 UFS 3.1 產品出貨量。此外，更新的 uMCP5 產品，採用低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM 的 UFS 多晶片封裝，現已準備好進行認證。早前宣佈的 176 層 NAND 技術 是世界上最先進的快閃記憶體，擁有業界領先的密度。
新的 176 層 3D NAND 具有更高的頻寬、更低的延遲和更高的電源效率，可協助智慧型手機設計者透過真正的應用程式多工處理功能，產生反應更靈敏的行動體驗，所有這些功能都由單一電池充電供電。科技能提供消費者想要的行動體驗嗎？ 下注，方法如下。
更快的下載和應用程式啟動
透過利用 5G 連線能力，人工智慧行動應用程式將開啟比以往更豐富、更身歷其境的新使用者體驗。消費者希望這些體驗能像最簡單的智慧型手機任務一樣順暢快速地運作。智慧型手機提供表演和歌曲，透過社交網路將使用者與朋友和家人聯繫起來，並捕捉生命中最珍貴的時刻。沉浸式是智慧型手機體驗的一部分，期望即時行動遵循意圖。
但是運算攝影、4K/8K 影片拍攝和串流、混合實境 （AR/VR） 和類似遊戲主機的雲端遊戲等新興人工智慧技術，都需要快速記憶體才能快速儲存和開啟下載的檔案，並啟動應用程式。這些使用案例是由人工智慧應用程式產生的大量 5G 資料所驅動。
隨著 5G 變得越來越普遍，行動記憶體和儲存效能也必須能夠擴展，以跟上快速的資料下載速度。美光的 176 層行動 UFS 3.1 儲存裝置透過更快的應用程式啟動、多工作業和交換實現流暢的行動體驗，實現快速下載。消費者可以利用 5G 的最高資料傳輸速率，最高可達 20 Gbps，混合工作負載效能快 15%，讀取/寫入延遲改善 35% 以上。與美光前一代的高容量 3D NAND 相比，這款全新的 176 層 NAND 大幅加速了應用程式效能，循序寫入時間縮短高達 75%。1
在真實世界中，使用者可在 0.7 秒內下載 10 分鐘的 4K（2160p） YouTube 影片串流，或在 9.3 秒內下載兩小時的 4K 影片，速度比目前的 5G 速度快得多。2
美光 176 層 NAND 也強化了服務品質（QoS），與上一代 NAND 相比，延遲降低了約 10%，可更快地啟動和切換應用程式。它還提供高達兩倍的總寫入位元組數（TBW），以提高元件穩定性和壽命。
由美光行動技術提供
透過美光將 176 層 NAND 應用為 UFS 3.1 解決方案，我們透過真正的跨應用程式多工作業，為使用者提供更靈敏的行動體驗。此儲存解決方案加入我們的行動產品組合，以及新的 LPDDR5 和 1α LPDDR4X 記憶體解決方案，協助推動下一波支援 5G 和 AI 功能的智慧型手機。
深入瞭解
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1 比較是根據美光前一代使用浮動閘 96 層 NAND 的 UFS 3.1。
2 假設實際使用時間，計算時使用 256GB 密度規格和每小時 7GB 檔案大小的 4K 影片。176 層 UFS 3.1 比我們前一代使用浮動閘 96 層 NAND 的 UFS 3.1 快 15%。
3 比較是根據美光前一代使用浮動閘 96 層 NAND 的 UFS3.1。測試案例包括開機時間和影像載入。