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3D NAND
行動 TLC 3D NAND
美光行動 TLC 3D NAND 記憶體技術具有高儲存容量和快速效能，提供現代智慧型手機所需的速度和功能。
現今的行動裝置比以往更加聰明。最近的創新技術讓智慧型手機能夠使用全新的互動方式，包括進階使用者驗證、AR、語言辨識，以及更個人化的成像功能。這些使用者體驗是由內建在現今智慧型手機中的人工智慧（AI）引擎所實現。
除非收到非常快速的本地資料，否則這些 AI 引擎並不實用。美光創新的 232 層三層單元（TLC）3D NAND 技術提供現代智慧型手機所需的速度和功能，具有顯著更高的儲存容量和驚人的快速效能。
採用 CMOS 陣列下的 232 層 TLC 3D NAND 技術，使上一代 TLC 3D NAND 的儲存密度翻倍，同時保持相同的封裝尺寸。
美光的 232 層 TLC 3D NAND 產品比上一代 TLC 3D NAND 快上許多。
與 e.MMC 5.1 相比，頻寬提高了 200%，並使用命令佇列技術同時讀取寫入指令。
美光獨特的浮動閘技術提供比競爭對手使用的電荷陷阱閘更優異的資料保留。 浮動閘技術使用隔離電荷儲存節點，以提供卓越的單元間電荷隔離，提供更高的資料保留和可靠性。
我們的 TLC 3D NAND 使用峰值功率管理系統，大幅降低智慧型手機的記憶體峰值功耗。
滿足您設計需求的工具和資源唯一來源，讓美光產品和解決方案發揮最大效益。
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