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3D NAND 快閃記憶體
美光行動 TLC 3D NAND 記憶體技術具有高儲存容量和快速效能，提供現代智慧型手機所需的速度和功能。
今日的行動裝置比以往任何時候都更加智慧。最新的創新技術帶來了與智慧型手機互動的全新方式，包括高階使用者身分驗證、AR、語言識別和更個人化的成像功能。這些使用者體驗的實現得益於當今智慧型手機內部嵌入的人工智慧（AI）引擎。
但是，除非為這些 AI 引擎提供可快速存取的本地資料，否則本身將無用武之地。 美光的創新 232 層三層單元（TLC）3D NAND 技術提供了現代智慧型手機所需的速度和效能，擁有超大儲存容量和疾速表現。
採用 CMOS under Array 技術的 232 層 TLC 3D NAND 技術在保持相同封裝尺寸的情況下，將上一代 TLC 3D NAND 的儲存密度提高了一倍。
與上一代 TLC 3D NAND 相比，美光 232 層 TLC 3D NAND 產品的速度大幅提升。
與 e.MMC 5.1 相比，頻寬提高了 200%，並使用指令佇列技術同時執行讀取寫入指令。
與競爭對手使用的電荷捕獲型閘極相比，美光獨特的浮動閘極技術可提供更出色的資料保留率。浮動閘極技術使用隔離的電荷儲存節點來實現出色的單元間電荷隔離，進而提供更高的資料保留率和可靠性。
我們的 TLC 3D NAND 採用峰值電源管理系統，可顯著降低智慧型手機中記憶體的峰值功耗。
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