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NAND 快閃記憶體
MLC NAND 快閃記憶體
多層式儲存晶片（MLC）NAND 快閃記憶體的每個單元有兩個位元，在效能和寫入耐久度之間取得良好平衡，適用於各種成本敏感的高密度應用。
詳細資料
此指南說明美光提供的各種快閃記憶體技術，幫助系統設計者挑選符合其需求的最佳快閃記憶體解決方案。
讓設計者對各類型 NAND 快閃記憶體的功能和優勢有基本認識，以便挑選適當的裝置。
如果您的寫入密集型企業應用程式需要比 SLC NAND 更符合成本效益的解決方案，美光的企業 MLC（eMLC）NAND 可能是最適合您的裝置。它是交易密集型資料伺服器和企業設備的理想儲存解決方案。
我們的 20nm 和 16nm FortisFlash 裝置配備 1 到 16 個晶粒堆疊的標準 BGA 封裝，能夠獲得高速 MLC 的效能，同時提高耐用性。比起標準 MLC，耐用性更高，沒有企業 MLC（eMLC）的使用限制。
行動運算和資料中心的需求不斷增長，持續推動對高容量、高效能 NAND 快閃記憶體技術的需求。隨著平面 NAND 接近其實際的縮放限制，滿足這些要求變得越來越困難。美光 3D NAND 技術採用創新的架構程序，提供一般平面 NAND 技術三倍的容量，同時擁有更好的效能及可靠性。
滿足您設計需求的工具和資源唯一來源，讓美光產品和解決方案發揮最大效益。
設計工具
使用我們的設計工具和資源，測試、構建和維護高效能解決方案，藉此支援您的設計流程。
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