為了紀念 DRAM 的發明及其所創造的世界，美光協助發起全國 DRAM 日，以慶祝 DRAM 對創新、經濟發展和社會進步的貢獻，同時也促進記憶體技術的教育和研究。
為了紀念這個日子，愛達荷州、紐約州和維吉尼亞州的州長發布公告，正式宣布 2024 年 6 月 4 日為全國 DRAM 日。這一天既是為了紀念今年初過世的 DRAM 發明者 Robert Dennard 博士，也是為了紀念 IBM（IBM 的發明改變了電腦、世界和歷史進程）。
在 DRAM 發明之前，隨機存取記憶體（RAM）既複雜又龐大，而且需要大量功耗。在 RAM 的早期，大型磁性儲存系統需要房間大小的設備，但只能儲存一兆位元組的資訊。1968 年，Dennard 博士發現邏輯電壓可以由普通電容器暫時儲存，而這種暫時儲存可透過定期更新電容器來無限期延長。這種新的 DRAM 架構大幅提高了記憶體密度，並對數位運算系統的快速發展發揮了重要作用。自此之後，DRAM 成為重塑人類社會的產業基礎技術。如今，DRAM 晶片只有指甲般大小，廣泛應用於從智慧型手機到雲端伺服器和資料中心等各個領域。
雖然 DRAM 只有指甲般大小，但其影響力卻很巨大。DRAM 在推動人工智慧（AI）、自駕車、醫療保健等各領域的創新方面發揮關鍵作用。DRAM 的效能和可靠性推動技術快速進步，進而促進經濟發展，徹底改變產業，並改變了我們的日常生活。
如今，美光繼續處於 DRAM 創新的最前線。2022 年，我們推出 1β（1-beta）生產節點。該節點擁有每個晶粒 16Gb 的容量和 8.5 Gbps 的資料傳輸速率（針對 LP5X），能效提高了 15%，位元密度提高了 35%。在該節點技術的早期應用中，1β 節點上的 Micron LPDDR5X 正用於從雲端到邊緣的應用中。
正如 Dennard 博士的突破一樣，美光的技術進步也來之不易。這得益於美光團隊成員致力於創新和打破常規思維。
2009 年，當 Dennard 博士被問到他對科技感興趣的年輕人有什麼建議時，他回答說：「任何人都可以參與其中。那裡有機會。這些事情不會自行發生，需要真正有人來實現這些突破。」
我們完全同意。
美光期待 DRAM 產業在美國持續發展，並期待 Dennard 博士熱情談及的突破類型。作為該發展的一部份，美光正準備將尖端記憶體製造業帶到美國，計劃在未來 20 多年內，在愛達荷州和紐約州投資高達 1,250 億美元。
在首個全國 DRAM 日，我們不僅要表彰 Dennard 博士對科技的所有貢獻，也希望延續他的遺志，激勵未來幾代將改變世界的發明家、科學家和工程師。