輸入無效。不支援特殊字元。
為了紀念 DRAM 及其所能實現的世界的發明，美光正協助推出全國 DRAM 日，慶祝 DRAM 對創新、經濟成長和社會進步的貢獻，同時推廣記憶體技術的教育和研究。
為了紀念這個時刻，愛達荷州、紐約和維吉尼亞州的州長已發佈公告，正式宣佈 2024 年 6 月 4 日為國家 DRAM 日。這一天表揚 DRAM 的發明者 Robert Dennard 博士，他今年稍早去世，而 IBM 的發明改變了運算、世界和歷史。
在開發 DRAM 之前，隨機存取記憶體（RAM）既複雜又笨重，而且需要大量電力。在 RAM 的早期，大型磁性儲存系統只需要空間大小的設備，同時只儲存 1 MB 的資訊。1968 年，Denard 博士意識到邏輯電壓可由普通電容器暫時儲存，並且透過定期重新整理電容器，此暫時儲存可能會無限期地延長。這種新的 DRAM 架構帶來了顯著更高的記憶體密度，並且有助於數位運算系統的快速發展。從那時起，DRAM 已成為重新塑造人類社會的產業的基礎技術。如今，DRAM 晶片是人類指甲的大小，從智慧型手機到雲端伺服器和資料中心，應有盡有。
雖然 DRAM 像指甲一樣小，但其影響很大。DRAM 在推動人工智慧、自駕車、醫療保健等領域的創新方面扮演著關鍵角色。DRAM 的效能和可靠性推動了技術進步的快速步伐，為經濟帶來支撐、徹底改變產業，並改變了我們的日常生活。
今天，美光繼續站在 DRAM 創新的最前線。2022 年，我們發布了 1β（1-beta） 生產節點。它具備 16Gb 的晶粒容量和 8.5 Gbps 的資料速率（LP5X），提供 15% 更好的電源效率和 35% 的位元密度提升。在節點技術的早期應用中，1β 節點上的美光 LPDDR5X 正用於雲端到邊緣應用。
與 Dennard 博士的突破性技術相似，美光的技術進步並不容易。這是因為致力於創新和跳脫框架思考的美光團隊成員敬業。
當 Dennard 博士在 2009 年被問到，他會向對科學和技術感興趣的年輕人提供什麼建議時，他回答說：「任何人都可以參加。機會就在這裡。這些事情不會自行發生。需要真正的人才能做出這些突破。」
我們不能達成更多共識。
美光期待 DRAM 產業在美國的持續成長，以及 Dennard 博士熱衷於談論的突破類型。配合這波成長趨勢，美光正準備將先進的記憶體製造引進美國，計劃在未來 20 多年內在愛達荷州和紐約投資高達 1，250 億美元。
在這個首屆的全國 DRAM 日，我們不僅表揚 Dennard 博士對科學和技術的所有貢獻，也希望繼續他的傳承，並激勵將改變世界的後代發明家、科學家和工程師。