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更新：去年，我們慶祝 DRAM 發明成立 55 週年。今天，我們慶祝 56 週年，回顧了發明激發並紀念了記憶和丹納德（Dennard）先生長期影響的技術進步。
1966 年是很久以前的事了。披頭四發行了專輯《Revolver》。排名第一的電影是《黃金三鏢客》(The Good, the Bad, and The Ugly)。而當時的電腦，即便可以這樣稱之，仍然使用紙帶和穿孔卡片閱讀器。
同年，羅伯特·丹納德(Robert Dennard)發明了動態隨機存取記憶體（DRAM）。兩年後 — 55 年前 — 1968 年 6 月 4 日，DRAM 專利獲得授予。剩下的就是歷史。
為了開發這項技術，丹納德(Dennard)領導 IBM 的研究團隊，研究電容器的二進位資料為正電荷或負電荷。由於電容器洩漏電荷，丹納德(Dennard)發明了一個由單個電晶體處理一切的平台，大幅減小了尺寸。
隨機存取記憶體（RAM）採用了臨時記憶體，當時廣泛使用，但複雜、龐大且使用了大量電力。大型磁性儲存系統需要機房大小的設備，同時僅儲存一個百萬位元組的資訊。丹納德(Dennard)的想法是將新一代的磁性記憶體縮小到 25 公分的正方形。這個技巧將 RAM 冷凝成單一電晶體。突然之間，一台電腦可以在一個晶片上容納十億個 RAM 單元。
第一個 RAM 晶片 1103 於 1970 年推出。在兩年內，它繞過磁芯記憶體，成為全球最暢銷的半導體記憶體晶片。到了 1970 年代中期，這成爲了標準。
在最近 IBM 向丹納德(Dennard)致敬的活動中，他們描述了這項發現的衝擊波：「在接下來的五十五年裡，DRAM 將一代又一代地演變……DRAM 記憶體不僅取代了早期的磁性技術，而且還成為一個重塑人類社會的產業的基礎技術——從我們的工作方式到娛樂自己的方式，甚至到我們打仗的方式。」
如今，各種技術（如 DDR、LPDDR、GDDR、HBM）和規格尺寸（元件、UDIMM、SODIMM、RDIMM 等）中的 DRAM 元件和模組從智慧型手機到雲端伺服器普遍存在，為全球經濟帶來動力。
雖然我們都熟悉摩爾定律，但丹納德縮放比例(Dennard Scaling） 將這個概念帶入更深入的技術意義 ，也就是每代電晶體區域可以縮小一半，同時將操作頻率（時脈）提高 40%。此外，在給定空間中電晶體會變得更便宜、更大量，但能保持功耗恆定（為電晶體數量的兩倍）。
丹納德(Dennard)甚至看到摩爾定律的終結，以及丹納德縮放比例(Dennard Scaling）。IBM 同事拉斯·蘭格（Russ Lange）清楚記得：「鮑伯（Bob）和我經常就規模擴張是否會有盡頭展開熱烈的討論。他會說：「是的，擴展已經結束了。但創造力沒有終點。」
到 1981 年，美光在 DRAM 領域爆發，出貨首款 64K DRAM 產品。這是我們在 DRAM 和 NAND 中強大領導角色的誕生。三年後，我們推出全球最小的 256K DRAM 產品，1987 年則推出 1 兆 DRAM。
美光 64K DRAM 產品
美光「We Do Windows」廣告和美光 1Mb DRAM 產品
古爾泰傑·桑杜（Gurtej Sandhu）是多領域的發明家，IEEE 安德魯·S·格羅夫（Andrew S. Grove）獎得主和美光技術路徑探尋資深研究員，回想起 DRAM 的早期創新時代，「當我大約 15 年前造訪 IBM Watson 中心時，我的主持人帶我到丹納德(Dennard)辦公室。該辦公室一直對訪客開放且正常運作，我被告知幾年前退休的丹納德(Dennard)每週仍然來這裏幾個小時。諷刺的是，在他發明 DRAM 時，Intel 更加關注它，因為其正在尋找更低成本的 SRAM 替代產品。降低位元成本對於提高電腦系統的能力至關重要，Intel 在設計其處理器晶片以管理 DRAM 更新和定制系統級架構方面有著很大的貢獻，該架構將 DRAM 作為現代運算革命的一部分。」
古爾泰傑·桑杜（Gurtej Sandhu）
EEE 安德魯·S·格羅夫(Andrew S. Grove)獎得主
美光技術路徑探尋資深研究員
桑杜（Sandhu）補充說：「這是我們不應該忘記的歷史教訓，因為我們開始尋找未來的記憶體技術解決方案。成功實施記憶體技術，始終需要系統級的方法來設計電腦架構和軟體，從而為終端客戶獲取最大利益。」
對丹納德縮放比例(Dennard Scaling）而言，DRAM 持續變得更小且速度更快。到 2002 年，美光展示了全球首款 1 GB DDR（雙倍資料速率）DRAM 產品。多年來，我們持續引領 DRAM 創新，從早期 PC DRAM 到圖像技術，再到汽車、IoT（物聯網）和 AI（人工智慧）裝置特定的記憶體爆炸性成長。
美光發佈 1α（1-alpha）節點型 DRAM 產品，並採用全球最先進的 DRAM 製程技術，在容量、功耗和效能方面做出重大改善，加速邁向 2021 年。
美光技術和產品執行副總裁斯科特·德博爾（Scott DeBoer）注意到：「與之前的 1z DRAM 節點相比，記憶體密度提高了 40%，這一進步為未來的產品和記憶體創新奠定了堅實的基礎。」
例如，該節點使我們能夠為需要同級最佳 LPDRAM（低功耗 DRAM）效能的平台提供超低功耗、可靠的記憶體和更快的低功耗 DDR5（LPDDR5）操作速度。該公司以 1 個 alpha 節點為基礎的 LPDDR5，其節能效果提升 15%，讓 5G 行動使用者能夠在智慧型手機上執行更多任務，而不會影響電池壽命。
美光 LPDDR5
其他應用包括業界首款符合最嚴格汽車安全完整性等級（ASIL）ASIL D 的汽車 LPDDR5 DRAM。該解決方案是美光根據國際標準化組織（ISO）26262 標準，針對汽車功能安全而設計的新記憶體和儲存裝置產品組合 。
今天，美光繼續處於 DRAM 進步的最前線，在 2022 年推出 1β（1 測試版）生產節點，每個晶粒容量 16Gb，資料速率 8.5Gbps，提供 15% 更好的能源效率，位元密度提升 35%。在節點技術的早期應用中，美光 LPDDR5X 在 1 個 Beta 節點上將啟用高解析度 8K 影片錄製，並在手機上編輯視訊。
美光 1-beta 節點晶圓
同時，美光最近宣布了我們的 1γ（1-gamma）DRAM 製程技術採用革命性的極紫外線（EUV）微影製程生產。我們將成為首家將 EUV 技術引進日本的半導體公司，並將在 2025 年在台灣和日本的 1γ（1-gamma）節點上擴大 EUV 生產。
羅伯特·丹納德(Robert Dennard)於 55 年前的創新激發了蓬勃發展的記憶體產業，包括美光無與倫比的 64k 至 1γ DRAM 領導地位和進步。
