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CZ120 記憶體擴充模組
使用 CXL™ 標準為資料中心擴充記憶體容量
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使用 CXL™ 標準為資料中心擴充記憶體容量
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均衡使用運算和記憶體資源，智慧化地將成本和效能最佳化的記憶體容量擴充。
1. MLC 頻寬比較：使用 12 通道 4800MT/s RDIMM + 4x256GB CZ120 對比僅使用 RDIMM。
美光技術支援計畫 (TEP) 為使用 CXL 實現記憶體擴充的廠商提供一條捷徑，可以提前獲得技術資訊與支援、電子和熱模型，以及記憶體產品，以設計開發和推出新一代的運算平台。
CXL（Compute Express Link）是處理器、加速器、記憶體、儲存裝置和其他 IO 裝置之間通訊的高速互連業界標準介面。
CXL 為異質和分散式運算架構提供可組合性、可擴充性和彈性，能提高效率。CXL 可讓應用程式在 CPU、GPU 和 FPGA 裝置之間共用記憶體，這能實現永續執行，進而加快運算速度。
此通訊協定用於裝置初始化、連結、列舉和裝置探索。應用於 FPGA 和 IPU 等支援 CXL.io 的裝置。類型 1 裝置採用完全連貫的快取，但沒有主機管理的裝置記憶體。
此通訊協定僅應用於主機管理的裝置記憶體。典型應用是做為主機的記憶體擴充器。
CXL 的主要優勢是為運算節點擴充記憶體，為需要高頻寬、高容量和低延遲的資料密集型應用程式填補了記憶體缺口。
現代運算架構容易出現所謂的「記憶體撞牆」問題。CXL 提供必要的架構，使運算和記憶體擴充的分歧得到平衡。CXL 透過記憶體擴充創造了一個新途徑，能實現經濟上可行的記憶體解決方案，進而影響 DRAM 位元成長率。
此外，CXL 的彈性且可擴充架構還提供更高的運算和記憶體資源利用率和營運效率，可根據工作負載需求，垂直擴充或水平擴充資源。
若要深入瞭解美光對 CXL 如何影響 DRAM 位元成長率的觀點，請閱讀我們的白皮書。
現代平行式電腦架構容易出現系統瓶頸，因而限制應用程式處理效能。此情況一向被稱為「記憶體撞牆」，其中微處理器效能改善率遠超過 DRAM 記憶體速度改善率。
CXL 通訊協定中的記憶體裝置內聚力和一致性屬性，藉由在伺服器 DIMM 插槽以外擴充記憶體來解決記憶體撞牆問題。CXL 記憶體擴充是一種雙管齊下的方法，一方面增加頻寬以克服記憶體撞牆問題，另一方面為啟用 CXL 的伺服器增加容量，以支援資料密集型工作負載。
CXL 相連記憶體為分層記憶體儲存裝置在新領域的成長，以及實現不限 CPU 核心數的記憶體擴充，帶來巨大機會。CXL 將有助於維持較高的 DRAM 位元成長率，但不應期望 CXL 會加快 DRAM 位元成長的速度。整體而言，CXL 對於 DRAM 成長而言是淨正向影響。
美光的 CXL 技術承諾使顧客和供應商得以推動記憶體創新解決方案的生態系統。若要深入瞭解美光如何促進實現新一代資料中心創新，請參閱我們的資料中心解決方案頁面。
CXL 是符合成本效益、彈性且可擴充的架構解決方案，將塑造未來的資料中心。CXL 將改變傳統以機架和堆疊架構將伺服器和網狀架構交換器部署在資料中心的方式。
這些更靈活且可擴充的架構將取代專門打造的伺服器，這類伺服器具有由 CPU、記憶體、網路和儲存裝置等元件組成的專屬固定資源。機架中的伺服器一旦與支援網路、儲存裝置和運算的固定資源相連，將會依動態進行組合，以滿足 AI 和深度學習等現代新興工作負載的需求。最後，資料中心將轉向完全解構所有伺服器元素的方向發展，其中包括運算、記憶體、網路和儲存裝置。