我們的創新

觀看影片

創新不是便宜行事,而是打破常規。需要好奇心、不屈不撓和求知慾。以創新面對艱難挑戰。向明天以及所有造就今日成功的人致敬。

+

我們的創新歷史

1978
1979
1981
1984
1987
1988
1992
1999
2000
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2009
2011
2012
2013
2014
2015
2016
2017
2018
1978 年:成立美光科技

成立美光科技

美光從一家位於愛達荷州博伊西市(Boise)牙科診所地下室的四人半導體設計公司開始。美光的第一份合約是為 Mostek 公司設計 64K 記憶體晶片。

1979 年:工程師完成 64K DRAM 的設計

美光工程師完成 64K DRAM 的設計

雖然不是第一家生產 64K DRAM 的公司,但美光的工程師們創造出更新穎、更小巧的版本,被譽為世界上最小的 64K DRAM 設計。此創新設計促成公司 1981 年首次 64K 產品的大量生產。

1981 年:美光首款 64K DRAM 產品出貨

美光首款 64K DRAM 產品出貨

美光的 64K DRAM 是在愛達荷州博伊西市新建製造工廠所生產的第一款產品。美光將 64K DRAM 出售給許多首次大規模生產的個人電腦,包括 Commodore 64 家用電腦。

1984 年:美光推出世界上最小的 256K DRAM 晶片

美光展示世界上最小的 256K DRAM 晶片

除了推出世界上最小的 256K DRAM 晶粒外,此晶片亦代表了業界 DRAM 儲存容量的里程碑。藉由使用更大且更容易讀取的記憶體元件,256K DRAM 成為未來年輕記憶體新創公司高效率和獲利能力的跳板。

1988 年:美光達到 1-Megabit DRAM 里程碑

美光 1-Megabit DRAM 上市

儲存容量的里程碑,1Mb DRAM 在 80 年代末和 90 年代成為 PC 和顯示卡記憶體的主流。美光的 1Mb DRAM 實現高容量 SIMM 模組,支援配備微軟新 Windows 作業系統的 PC。

1988 年:美光推出首款影像 RAM 和快速靜態 RAM 產品

美光推出首款影像 RAM 和快速靜態 RAM 產品

256K 影像 RAM 和快速靜態 RAM 的推出,將美光的產品組合擴大至傳統 DRAM 之外,讓美光成為差異化記憶體類型的一員。

1999 年:美光 16-megabit DRAM 支援採用新 Windows 3.1 的 PC

美光 16-Megabit DRAM 支援採用新 Windows 3.1 的個人電腦

儲存容量的里程碑,16-megabit DRAM 取代美光主打的 4-megabit DRAM 陣容。這些更大容量的晶片與微軟發佈 Windows 3.1 的時間重疊,將 PC RAM 的基本要求提高到 1 megabyte。

1999 年:美光生產業界首款雙倍資料速率(DDR)DRAM

美光生產業界首款 DDR DRAM

美光展示 Samurai 雙倍資料速率(DDR),證明 DDR 記憶體可提供相當於競爭對手 Direct RDRAM 解決方案的效能,但成本低很多。無庸置疑,DDR 終成為高效能 DRAM 的業界標準介面。

2000 年:美光發明 QDR SRAM,使記憶體頻寬翻倍

美光的四倍資料倍率 SRAM 雙倍記憶體頻寬

美光創新的四倍資料倍率(QDR)架構,有效地使 SRAM 頻寬翻倍,適合交換器和路由器等通訊應用。此獨特設計使用兩個連接埠,分別以雙倍資料速率獨立運行,實現每個時脈週期運算四個資料項目。

2002 年:美光展示業界首款 110nm 製程的 1-Gigabit DDR

美光展示業界首款 110nm 製程的 1Gigabit DDR

美光的 1Gb DDR 以世界最先進的製程打造(110nm),超越仍採用 130nm 的半導體巨人 Intel 和 AMD。此晶片使美光成為記憶體產業容量和介面效能的領導者。

2003 年:美光開發 1.3-megapixel CMOS 影像感測器

美光開發 1.3-Megapixel CMOS 影像感測器

美光跨足影像感測器,使公司成為能使影像品質與電荷耦合元件(CCD)感測器媲美的 CMOS 技術創新者。從智慧型手機到高階專業裝備,CMOS 感測器已成為今日各種數位攝影機的標準。

2004 年:美光推出用於手機的偽靜態 RAM(PSRAM)

美光推出用於手機的偽靜態 RAM

偽靜態 RAM(PSRAM)取代 SRAM,提供行動裝置必需的高頻寬、容量及低功率。美光在 PSRAM 上的領導地位,奠定了現今行動裝置中所用低功率 DRAM 產品的基礎。

2004 年:美光開發業界首款 6F2 DRAM 單元

美光開發業界首款 6F2 DRAM 單元

美光開發全新的 6F2 單元架構,取代業界的 8F2 單元標準,使每片晶圓可增加 25% 的位元數。此較高容量的設計,讓美光重新奪回業界最具成本競爭力記憶體生產商的稱號。

2005 年:美光推出高容量、低功率的行動 LPDRAM

美光推出高容量、低功率的行動 LPDRAM

美光採用 33mm2 微小晶粒的 16MB DRAM,以微型化實現更高容量和更低功率。隨著手機從單純的語音通話變成多媒體裝置,對 LPDRAM 的需求急遽增加,此趨勢一直延續至現今的智慧型手機。

2006 年:美光開發 Mongoose 測試器,提高準確度,降低成本

美光開發 Mongoose 測試器,提高準確度,降低成本

此內部開發的測試器為美光獨家使用,以提高 DRAM 測試處理量和準確度。美光持續改善此測試器平台,以滿足未來新的記憶體標準。

2006 年:美光推出世界上容量最高的伺服器記憶體模組

美光推出世界上容量最高的伺服器記憶體模組

隨著虛擬化技術的興起,一台伺服器內有多種應用程式,美光的 16GB DDR2 模組遂隨著 2000 年代伺服器記憶體需求快速成長。這些高容量伺服器模組的趨勢一直延續至今。

2007 年:美光開發業界首款節距重覆 NAND

美光開發業界首款節距重覆 NAND

推出的節距重覆為一種微影技術,可在不進行微影變化的情況下增加位元容量。方法為位元線分離成第一和第二金屬層,讓美光能在現有的 50nm 技術上提供 16Gb MLC 裝置。

2007 年:美光推出低延遲、低功率 RLDRAM-2 記憶體

美光發展低延遲、低功率 RLDRAM 2 記憶體

這款高效能 DRAM 原是針對網路連線所設計,但旋即意外成為特定應用的首選解決方案:DLP 電視和投影機。雖然容量隨著時間的推移而增加,但低延遲的 DRAM 仍然是當今網路連線應用的主力。

2007 年:美光和 Intel 率先推出低於 Sub-40nm NAND 快閃記憶體

美光和 Intel 率先推出低於 Sub-40nm NAND 快閃記憶體

此多層式儲存晶片(MLC)NAND 快閃裝置是業界首款單片 32Gb NAND,可在極小型規格尺寸中實現高容量固態儲存,包含數位相機、個人音樂播放器和數位攝錄影機。

2009 年:美光的 RealSSD™ C300、業界最快的客戶端 SSD 開始出貨

美光的 RealSSD™ C300、業界最快的客戶端 SSD 開始出貨

C300 甫推出時為業界最快的筆記型電腦和桌上型電腦 SSD,這款 SSD 支援 SATA III 介面,提供 6 Gb/s 的速度,大幅提高資料傳輸、應用程式負載和啟動時間的處理速度。

2011 年:美光和 Intel 宣布推出全球首款 20nm MLC NAND

美光和 Intel 宣布推出全球首款 20nm MLC NAND

這款 128Gb MLC 記憶體可在只有八個晶粒、一個指尖大小的封裝內儲存 1TB 的資料,為儲存立下新標準。此外,該記憶體首次採用創新的平面單元結構,克服了標準浮閘式 NAND 的縮放限制。

2011 年:美光推出 HMC 架構

美光推出 HMC 架構

HMC 為革命性的 DRAM 架構,利用矽穿孔(TSV)技術,將高速邏輯與記憶體晶粒堆疊結合在一起。持續將從 HMC 學到的知識應用於未來、新興的記憶體技術上。

2012 年:美光宣布推出業界首款 2.5 吋 PCIe 企業級 SSD

美光生產業界首款 2.5 吋 PCIe 企業級 SSD

此解決方案結合高效能 PCI Express 介面、可熱插拔的 2.5 吋規格尺寸和客製的美光控制器,為企業效能的可擴充性和可維修性帶來新選擇。

2012 年:美光創造針對 Ultrabooks™ 的全新低功率 DRAM 類別

美光創造針對 Ultrabooks™ 裝置的全新低功率 DRAM 類別

DDR3L-RS 記憶體建立一個新的「低功率」DRAM 解決方案,實現較長的電池壽命,適合筆記型電腦、平板電腦和 Ultrabook 系統等新一代的高效能、超薄裝置。
*Ultrabook 是 Intel Corporation 或其子公司在美國和/或其他國家的商標。

2013 年:美光推出世界最小的 16nm NAND 快閃記憶體裝置

美光推出世界最小的 16nm NAND 快閃記憶體裝置

美光的 16nm 製程技術可在單一晶粒上提供 16GB 的儲存,是迄今為止開發出最高容量的平面 NAND 快閃記憶體。使用此製程,一片 300mm 的晶圓上即可創造出將近 6TB 的儲存。

2014 年:美光宣布推出業界首款單片 8Gb DDR3 SDRAM

美光憑藉首款單片 8Gb DDR3 SDRAM 引領業界發展

此單一元件大幅提升單一晶片上的容量,達到 1GB,更高容量帶來高成本效益、高容量的解決方案,可支援大規模、資料密集的工作負載量。

2015 年:美光和 Intel 推出 3D NAND,是迄今為止最高容量的快閃記憶體

美光和 Intel 推出 3D NAND,是迄今為止最高容量的快閃記憶體

3D NAND 是半導體未來的轉折點。藉由垂直堆疊的資料儲存單元層,3D NAND 的容量是平面 NAND 技術的三倍。

2015 年:美光和 Intel 宣布推出突破性的記憶體 3D XPoint™ 技術

美光和 Intel 宣布推出突破性的 3D XPoint™ 技術

3D XPoint 代表記憶體製程技術的重大突破,是幾十年來首款新記憶體類別。這款非揮發性記憶體的速度可達 NAND 的 1,000 倍,耐用性可達 1,000 倍。

2016 年:美光推出 GDDR5X,是全球最快的繪圖型 DRAM

美光推出 GDDR5X,是全球最快的繪圖型 DRAM

這款記憶體的每 pin 資料傳輸率創下歷史新高,可實現龐大的圖形效能和 GPGPU 運算能力。GDDR5X 提供高達 14Gb/s 的資料傳輸率,基本上是先前 GDDR5 記憶體頻寬的兩倍。

美光 Xccela 快閃記憶體 

美光組成 Xccela™ 聯盟,推廣新的介面匯流排類型

Xcella™ 行業聯盟的成立,有助於加速採用 Xccela 匯流排介面,此為一種適合揮發性和非揮發性記憶體的新高效能數位互連類型。

Micron® Authenta™ 技術 

美光宣布推出適合 IoT 裝置的 Authenta™ Security Technology

Micron® Authenta™ 技術有助於實現快閃記憶體中強大的加密 IoT 裝置身分和健康管理,從啟動程序開始,為最底層的 IoT 裝置軟體提供獨特程度的防護。

美光 NVDIMM-N 模組 

美光將 NVDIMM 的容量翻倍至 32GB

美光將 DDR4 NVDIMMs 的容量提高至 32GB,是過去解決方案的兩倍。NVDIMMs 亦稱為持久性記憶體,即使在斷電後也可以永久地將資料儲存在 DRAM 中。美光的 32GB NVDIMM-N 模組同時提供高容量和超快的處理量。

Micron® 5210 ION SSD 

美光的業界首款四層單元 NAND SSD 出貨

美光的業界首款採用革命性四層單元(QCL)NAND 技術的 SSD 出貨。Micron® 5210 ION SSD 帶來比三層單元(TLC)NAND 多了 33% 的位元容量,主要針對過去使用傳統硬碟(HDD)提供服務的市場。

突破是留給勇於嘗試的人

40 多年來,我們的創新對世界上最重要的技術進步和市場轉型至關重要。查看我們近期的一些發明和技術突破。

+
Powered By OneLink