我們的創新

創新不是便宜行事,而是打破常規。需要好奇心、不屈不撓和求知慾。以創新面對艱難挑戰。向明天以及所有造就今日成功的人致敬。

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我們的創新歷史

1978
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1999
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1978 年:成立美光科技

成立美光科技

美光從一家位於愛達荷州博伊西市(Boise)牙科診所地下室的四人半導體設計公司開始。美光的第一份合約是為 Mostek 公司設計 64K 記憶體晶片。

1979 年:工程師完成 64K DRAM 的設計

美光工程師完成 64K DRAM 的設計

雖然不是第一家生產 64K DRAM 的公司,但美光的工程師們創造出更新穎、更小巧的版本,被譽為世界上最小的 64K DRAM 設計。此創新設計促成公司 1981 年首次 64K 產品的大量生產。

1981 年:美光首款 64K DRAM 產品出貨

美光首款 64K DRAM 產品出貨

美光的 64K DRAM 是在愛達荷州博伊西市新建製造工廠所生產的第一款產品。美光將 64K DRAM 出售給許多首次大規模生產的個人電腦,包括 Commodore 64 家用電腦。

1984 年:美光推出世界上最小的 256K DRAM 晶片

美光展示世界上最小的 256K DRAM 晶片

除了推出世界上最小的 256K DRAM 晶粒外,此晶片亦代表了業界 DRAM 儲存容量的里程碑。藉由使用更大且更容易讀取的記憶體元件,256K DRAM 成為未來年輕記憶體新創公司高效率和獲利能力的跳板。

1988 年:美光達到 1-Megabit DRAM 里程碑

美光 1-Megabit DRAM 上市

儲存容量的里程碑,1Mb DRAM 在 80 年代末和 90 年代成為 PC 和顯示卡記憶體的主流。美光的 1Mb DRAM 實現高容量 SIMM 模組,支援配備微軟新 Windows 作業系統的 PC。

1988 年:美光推出首款影像 RAM 和快速靜態 RAM 產品

美光推出首款影像 RAM 和快速靜態 RAM 產品

256K 影像 RAM 和快速靜態 RAM 的推出,將美光的產品組合擴大至傳統 DRAM 之外,讓美光成為差異化記憶體類型的一員。

1999 年:美光 16-megabit DRAM 支援採用新 Windows 3.1 的 PC

美光 16-Megabit DRAM 支援採用新 Windows 3.1 的個人電腦

儲存容量的里程碑,16-megabit DRAM 取代美光主打的 4-megabit DRAM 陣容。這些更大容量的晶片與微軟發佈 Windows 3.1 的時間重疊,將 PC RAM 的基本要求提高到 1 megabyte。

1999 年:美光生產業界首款雙倍資料速率(DDR)DRAM

美光生產業界首款 DDR DRAM

美光展示 Samurai 雙倍資料速率(DDR),證明 DDR 記憶體可提供相當於競爭對手 Direct RDRAM 解決方案的效能,但成本低很多。無庸置疑,DDR 終成為高效能 DRAM 的業界標準介面。

2000 年:美光發明 QDR SRAM,使記憶體頻寬翻倍

美光的四倍資料倍率 SRAM 雙倍記憶體頻寬

美光創新的四倍資料倍率(QDR)架構,有效地使 SRAM 頻寬翻倍,適合交換器和路由器等通訊應用。此獨特設計使用兩個連接埠,分別以雙倍資料速率獨立運行,實現每個時脈週期運算四個資料項目。

2002 年:美光展示業界首款 110nm 製程的 1-Gigabit DDR

美光展示業界首款 110nm 製程的 1Gigabit DDR

美光的 1Gb DDR 以世界最先進的製程打造(110nm),超越仍採用 130nm 的半導體巨人 Intel 和 AMD。此晶片使美光成為記憶體產業容量和介面效能的領導者。

2003 年:美光開發 1.3-megapixel CMOS 影像感測器

美光開發 1.3-Megapixel CMOS 影像感測器

美光跨足影像感測器,使公司成為能使影像品質與電荷耦合元件(CCD)感測器媲美的 CMOS 技術創新者。從智慧型手機到高階專業裝備,CMOS 感測器已成為今日各種數位攝影機的標準。

2004 年:美光推出用於手機的偽靜態 RAM(PSRAM)

美光推出用於手機的偽靜態 RAM

偽靜態 RAM(PSRAM)取代 SRAM,提供行動裝置必需的高頻寬、容量及低功率。美光在 PSRAM 上的領導地位,奠定了現今行動裝置中所用低功率 DRAM 產品的基礎。

2004 年:美光開發業界首款 6F2 DRAM 單元

美光開發業界首款 6F2 DRAM 單元

美光開發全新的 6F2 單元架構,取代業界的 8F2 單元標準,使每片晶圓可增加 25% 的位元數。此較高容量的設計,讓美光重新奪回業界最具成本競爭力記憶體生產商的稱號。

2005 年:美光推出高容量、低功率的行動 LPDRAM

美光推出高容量、低功率的行動 LPDRAM

美光採用 33mm2 微小晶粒的 16MB DRAM,以微型化實現更高容量和更低功率。隨著手機從單純的語音通話變成多媒體裝置,對 LPDRAM 的需求急遽增加,此趨勢一直延續至現今的智慧型手機。

2006 年:美光開發 Mongoose 測試器,提高準確度,降低成本

美光開發 Mongoose 測試器,提高準確度,降低成本

此內部開發的測試器為美光獨家使用,以提高 DRAM 測試處理量和準確度。美光持續改善此測試器平台,以滿足未來新的記憶體標準。

2006 年:美光推出世界上容量最高的伺服器記憶體模組

美光推出世界上容量最高的伺服器記憶體模組

隨著虛擬化技術的興起,一台伺服器內有多種應用程式,美光的 16GB DDR2 模組遂隨著 2000 年代伺服器記憶體需求快速成長。這些高容量伺服器模組的趨勢一直延續至今。

2007 年:美光開發業界首款節距重覆 NAND

美光開發業界首款節距重覆 NAND

推出的節距重覆為一種微影技術,可在不進行微影變化的情況下增加位元容量。方法為位元線分離成第一和第二金屬層,讓美光能在現有的 50nm 技術上提供 16Gb MLC 裝置。

2007 年:美光推出低延遲、低功率 RLDRAM-2 記憶體

美光發展低延遲、低功率 RLDRAM 2 記憶體

這款高效能 DRAM 原是針對網路連線所設計,但旋即意外成為特定應用的首選解決方案:DLP 電視和投影機。雖然容量隨著時間的推移而增加,但低延遲的 DRAM 仍然是當今網路連線應用的主力。

2007 年:美光和 Intel 率先推出低於 Sub-40nm NAND 快閃記憶體

美光和 Intel 率先推出低於 Sub-40nm NAND 快閃記憶體

此多層式儲存晶片(MLC)NAND 快閃裝置是業界首款單片 32Gb NAND,可在極小型規格尺寸中實現高容量固態儲存,包含數位相機、個人音樂播放器和數位攝錄影機。

2009 年:美光的 RealSSD™ C300、業界最快的客戶端 SSD 開始出貨

美光的 RealSSD™ C300、業界最快的客戶端 SSD 開始出貨

C300 甫推出時為業界最快的筆記型電腦和桌上型電腦 SSD,這款 SSD 支援 SATA III 介面,提供 6 Gb/s 的速度,大幅提高資料傳輸、應用程式負載和啟動時間的處理速度。

2011 年:美光和 Intel 宣布推出全球首款 20nm MLC NAND

美光和 Intel 宣布推出全球首款 20nm MLC NAND

這款 128Gb MLC 記憶體可在只有八個晶粒、一個指尖大小的封裝內儲存 1TB 的資料,為儲存立下新標準。此外,該記憶體首次採用創新的平面單元結構,克服了標準浮閘式 NAND 的縮放限制。

2011 年:美光推出 HMC 架構

美光推出 HMC 架構

HMC 為革命性的 DRAM 架構,利用矽穿孔(TSV)技術,將高速邏輯與記憶體晶粒堆疊結合在一起。持續將從 HMC 學到的知識應用於未來、新興的記憶體技術上。

2012 年:美光宣布推出業界首款 2.5 吋 PCIe 企業級 SSD

美光生產業界首款 2.5 吋 PCIe 企業級 SSD

此解決方案結合高效能 PCI Express 介面、可熱插拔的 2.5 吋規格尺寸和客製的美光控制器,為企業效能的可擴充性和可維修性帶來新選擇。

2012 年:美光創造針對 Ultrabooks™ 的全新低功率 DRAM 類別

美光創造針對 Ultrabooks™ 裝置的全新低功率 DRAM 類別

DDR3L-RS 記憶體建立一個新的「低功率」DRAM 解決方案,實現較長的電池壽命,適合筆記型電腦、平板電腦和 Ultrabook 系統等新一代的高效能、超薄裝置。
*Ultrabook 是 Intel Corporation 或其子公司在美國和/或其他國家的商標。

2013 年:美光推出世界最小的 16nm NAND 快閃記憶體裝置

美光推出世界最小的 16nm NAND 快閃記憶體裝置

美光的 16nm 製程技術可在單一晶粒上提供 16GB 的儲存,是迄今為止開發出最高容量的平面 NAND 快閃記憶體。使用此製程,一片 300mm 的晶圓上即可創造出將近 6TB 的儲存。

2014 年:美光宣布推出業界首款單片 8Gb DDR3 SDRAM

美光憑藉首款單片 8Gb DDR3 SDRAM 引領業界發展

此單一元件大幅提升單一晶片上的容量,達到 1GB,更高容量帶來高成本效益、高容量的解決方案,可支援大規模、資料密集的工作負載量。

2015 年:美光和 Intel 推出 3D NAND,是迄今為止最高容量的快閃記憶體

美光和 Intel 推出 3D NAND,是迄今為止最高容量的快閃記憶體

3D NAND 是半導體未來的轉折點。藉由垂直堆疊的資料儲存單元層,3D NAND 的容量是平面 NAND 技術的三倍。

2015 年:美光和 Intel 宣布推出突破性的記憶體 3D XPoint™ 技術

美光和 Intel 宣布推出 3D XPoint™ 技術

3D XPoint 是時隔數十載問世的首款全新記憶體類別。這款非揮發性記憶體的速度可達 NAND 的 1,000 倍,耐用性可達 1,000 倍。

2016 年:美光推出 GDDR5X,是全球最快的繪圖型 DRAM

美光推出 GDDR5X,是全球最快的繪圖型 DRAM

這款記憶體的每 pin 資料傳輸率創下歷史新高,可實現龐大的圖形效能和 GPGPU 運算能力。GDDR5X 提供高達 14Gb/s 的資料傳輸率,基本上是先前 GDDR5 記憶體頻寬的兩倍。

美光 Xccela 快閃記憶體 

美光組成 Xccela™ 聯盟,推廣新的介面匯流排類型

Xcella™ 行業聯盟的成立,有助於加速採用 Xccela 匯流排介面,此為一種適合揮發性和非揮發性記憶體的新高效能數位互連類型。

Micron® Authenta™ 技術 

美光宣布推出適合 IoT 裝置的 Authenta™ Security Technology

Micron® Authenta™ 技術有助於實現快閃記憶體中強大的加密 IoT 裝置身分和健康管理,從啟動程序開始,為最底層的 IoT 裝置軟體提供獨特程度的防護。

美光 NVDIMM-N 模組 

美光將 NVDIMM 的容量翻倍至 32GB

美光將 DDR4 NVDIMMs 的容量提高至 32GB,是過去解決方案的兩倍。NVDIMMs 亦稱為持久性記憶體,即使在斷電後也可以永久地將資料儲存在 DRAM 中。美光的 32GB NVDIMM-N 模組同時提供高容量和超快的處理量。

Micron® 5210 ION SSD 

美光的業界首款四層單元 NAND SSD 出貨

美光的業界首款採用革命性四層單元(QCL)NAND 技術的 SSD 出貨。Micron® 5210 ION SSD 帶來比三層單元(TLC)NAND 多了 33% 的位元容量,主要針對過去使用傳統硬碟(HDD)提供服務的市場。

Image of Micron GDDR6X memory

Launched GDDR6X, first memory to use PAM4 multi-level signaling

GDDR6X is the world’s fastest discrete graphics memory solution, which is the first to power system bandwidth up to 1 terabyte per second (TB/s). The multilevel signaling innovation in GDDR6X has shattered conventional bandwidth limits, clocking record-breaking speeds while accelerating performance on complex graphics workloads across next-generation gaming applications.

Micron 176 Layer NAND 

Shipped industry’s first 176-layer NAND flash

The world’s first 176-layer 3D NAND flash memory achieves unprecedented, industry-pioneering density and performance. Together, Micron’s new 176-layer technology and advanced architecture represent a radical breakthrough, enabling immense gains in application performance across a range of storage use cases spanning data center, intelligent edge and mobile devices.

Shipped industry’s first 1α DRAM process technology

1α (1-alpha) node DRAM products are built using the world’s most advanced DRAM process technology and offer major improvements in bit density, power and performance. The applications for this new DRAM technology are extensive and far reaching — enhancing performance in everything from mobile devices to smart vehicles.

突破是留給勇於嘗試的人

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