美光的歷史：我們的時間軸

美光開始出貨全球首款 232 層 NAND，藉此擴大技術領先優勢

美光領先業界首創 232 層 3D NAND 為全新一波端到端技術創新打下基礎。憑藉業界首創的 232 層全新技術，美光打造業界最佳的儲存裝置密度、更強大的性能與業界最快的 I/O 速度。這將為用戶端、行動裝置與資料中心的數位化、最佳化與自動化帶來更多新的可能。

美光達成 50,000 項專利里程碑

美光的技術領先地位建立在記憶體、儲存裝置、半導體技術與其他領域的持續創新之上。達成第 50,000 項專利的里程碑，反映出美光全球團隊成員數十年來的創造力以及他們對推動創新的堅毅精神。

• 美光成功推出世界最先進的DRAM 技術1-Beta技術 節點
• 美光投資高達 1,000 億美元，於紐約克萊建造巨型晶圓廠
• 美光投資 150 億美元於愛達荷州興建晶圓廠
• 美光全球首款 232 層 NAND 記憶體量產出貨
• 美光企業創投基金 II 承諾為深度技術新創公司投資 2 億美元
• 美光達成 50,000 項專利里程碑

首款使用 PAM4 多層次訊號的記憶體 GDDR6X 問世

GDDR6X 是全世界最快的獨立繪圖記憶體解決方案，首度能為系統提供高達每秒 1TB 的頻寬速度。GDDR6X 創新的多層次訊號打破傳統頻寬限制，創造破記錄的速度，同時提升了整個次世代遊戲應用程式中的複雜圖像工作負載量效能。

業界首款 176 層 NAND 快閃記憶體出貨

全球首款 176 層 3D NAND 快閃記憶體，達到前所未見業界領先的容量以及效能。美光以新推出的 176 層技術以及先進架構達到重大突破，在資料中心、智慧邊緣以及行動裝置的一系列儲存空間使用案例中大幅度提高應用程式效能。

美光的業界首款四層單元 NAND SSD 出貨

美光的業界首款採用革命性四層單元（QCL）NAND 技術的 SSD 出貨。Micron® 5210 ION SSD 帶來比三層單元（TLC）NAND 多了 33% 的位元容量，主打過去使用傳統硬碟（HDD）提供服務的市場。

美光憑藉首款單片 8Gb DDR3 SDRAM 引領業界發展

此單一元件大幅提升單一晶片上的容量，達到 1GB，更高容量帶來高成本效益、高容量的解決方案，可支援大規模、資料密集的工作負載量。

美光推出世界最小的 16nm NAND 快閃記憶體裝置

美光的 16nm 製程技術可在單一晶粒上提供 16GB 的儲存，是迄今為止開發出最高容量的平面 NAND 快閃記憶體。使用此製程，一片 300mm 的晶圓上即可創造出將近 6TB 的儲存。

美光生產業界首款 2.5 吋 PCIe 企業級 SSD

此解決方案結合高效能 PCI Express 介面、可熱插拔的 2.5 吋規格尺寸和客製的美光控制器，為企業效能的可擴充性和可維修性帶來新選擇。

美光推出針對 Ultrabooks™ 裝置設計的全新低功率 DRAM 類別 

DDR3L-RS 記憶體建立一個新的「低功率」DRAM 解決方案，實現較長的電池壽命，適合筆記型電腦、平板電腦和 Ultrabook 系統等新一代的高效能、超薄裝置。
*Ultrabook 是 Intel Corporation 或其子公司在美國和／或其他國家的商標。

美光的 RealSSD™ C300、業界最快的用戶端 SSD 開始出貨

C300 推出時為業界最快的筆記型電腦和桌上型電腦 SSD，這款 SSD 支援 SATA III 介面，提供 6 Gb/s 的速度，大幅提高資料傳輸、應用程式負載和啟動時間的處理速度。

美光和 Intel 率先推出低於 Sub-40nm NAND 快閃記憶體

此多層式儲存晶片（MLC）NAND 快閃裝置是業界首款單片 32Gb NAND，可在極小型規格尺寸中實現高容量固態儲存，包含數位相機、個人音樂播放器和數位攝錄影機。

2004 年大事記

• 美光推出首款 2-gigabit NAND 快閃記憶體產品

美光開發 1.3-Megapixel CMOS 影像感測器

美光跨足影像感測器，使公司成為能使影像品質與電荷耦合元件（CCD）感測器媲美的 CMOS 技術創新者。從智慧型手機到高階專業裝備，CMOS 感測器已成為今日各種數位攝影機的標準。

美光展示業界首款 110nm 製程的 1Gigabit DDR

美光的 1Gb DDR 以世界最先進的製程打造（110nm），超越仍採用 130nm 的半導體巨人 Intel 和 AMD。此晶片使美光成為記憶體產業容量和介面效能的領導者。

美光生產業界首款 DDR DRAM

美光展示 Samurai 雙倍資料速率（DDR），證明 DDR 記憶體可提供相當於競爭對手 Direct RDRAM 解決方案的效能，但成本低很多。無庸置疑，DDR 終成為高效能 DRAM 的業界標準介面。

美光 16-Megabit DRAM 支援採用新 Windows 3.1 的個人電腦

儲存容量的里程碑，16-megabit DRAM 取代美光主打的 4-megabit DRAM 陣容。這些更大容量的晶片與微軟發布 Windows 3.1 的時間重疊，將 PC RAM 的基本要求提高到 1 megabyte。

美光推出首款影像 RAM 和快速靜態 RAM 產品

256K 影像 RAM 和快速靜態 RAM 的推出，將美光的產品組合擴大至傳統 DRAM 之外，讓美光成為差異化記憶體類型的一員。

美光展示世界上最小的 256K DRAM 晶片

除了推出世界上最小的 256K DRAM 晶粒外，此晶片亦代表了業界 DRAM 儲存容量的里程碑。藉由使用更大且更容易讀取的記憶體元件，256K DRAM 成為未來年輕記憶體新創公司高效率和獲利能力的跳板。

美光首款 64K DRAM 產品出貨

美光的 64K DRAM 是在愛達荷州博伊西市新建製造工廠所生產的第一款產品。美光將 64K DRAM 出售給許多首次大規模生產的個人電腦，包括 Commodore 64 家用電腦。

美光工程師完成 64K DRAM 的設計

雖然不是第一家生產 64K DRAM 的公司，但美光的工程師們創造出更新穎、更小巧的版本，被譽為世界上最小的 64K DRAM 設計。此創新設計促成公司 1981 年首次 64K 產品的大量生產。

成立美光科技

美光從一家位於愛達荷州博伊西市（Boise）牙科診所地下室的四人半導體設計公司開始。美光的第一份合約是為 Mostek 公司設計 64K 記憶體晶片。