232 層 NAND

全方位升級儲存裝置效能、容量與功耗效率,實現前所未有的端到端技術創新。

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232層 NAND : 更多層、更創新、更先進

美光232 層 NAND 已正式量產出貨,成功延續了在 3D NAND技術的的領先地位。

高效能

美光的 232 層 NAND 技術擁有業界最快的2.4 GB/s 的 NAND I/O 轉換頻寬,能夠滿足以資料為中心工作負載(例如:人工智慧、非結構化資料庫、即時分析與雲端運算)的低延遲與高流量要求。1

1 在市場推出時,NAND 的 I/O 速度為 1.6GB/s

資料容量

全球密度最高的 NAND 為客戶的設計提供了靈活性,同時實現了有史以來最高的每平方公釐 TLC 密度 14.6 Gb/mm2。與目前市場上的競爭性 TLC 產品相比,面積密度高出 35% 至 100%。2

2根據公告發布時目前出貨的 NAND 比較

普及的應用程式

更大的儲存容量:透過增加遮罩層堆疊,每片晶片皆可儲存多達 1 TB 的容量,每個封裝更可儲存多達 2 TB 的容量,在更多的裝置中提供更多的儲存容量,讓從邊緣到雲端的各種裝置更加智慧化且實現更多功能。


市場區隔

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用戶端

輕薄的行動筆記型電腦設計必須在最佳效能、長效持久的電池壽命與時尚外型的需求之間取得平衡。由於封裝尺寸較前幾代產品減少了 28% ,美光 232 層 NAND 客戶在使用輕薄型筆記本電腦時,不必為了可攜性而犧牲儲存容量。

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行動裝置

美光的先進製程技術實現了 NAND 快閃記憶體的創新,為行動儲存解決方案擴展了更多的可能性,這些解決方案大幅優化了空間受限以及在意耗電量的行動終端使用者裝置。美光 232 層 NAND技術讓低功耗應用程式在用戶處理多項任務、下載或瀏覽喜愛的內容時提供更流暢的使用者體驗。

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智慧邊緣

232 層 NAND 裝置巧妙結合尺寸較小、密度較大以及低功耗與更快速、更小型、更省電的邊緣儲存技術需求。隨著高容量、高效能的邊緣儲存裝置發展,我們將看到更多為滿足新應用與服務的儲存裝置創新與需求。

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資料中心

美光的 232 層 NAND 技術為資料中心提供了高效能、大容量、高密度的儲存裝置,與上一代產品相比,每一位元的能源效率都有所提升。對於資料中心營運商而言,這些都是相當重要的進展,他們在不斷增長的數據量之間取得平衡,同時還得符合降低用電量、減少用地與重視永續發展等計劃。

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